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资料编号:1053868
 
资料名称:H1061
 
文件大小: 151K
   
说明
 
介绍:
TRIPLE DIFFUSED SILICON NPN TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
 
1
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
H1061
p
mc 组件 pte 有限公司.
,
新加坡, 2000
三倍 扩散 硅 npn 晶体管
… 设计 用于 低 频率 电源 放大器
最大值 额定值
特性 symbol 值 单位
收集器 底座 电压
v
CBO
100 v
收集器 发射器 电压
v
CEO
发射器 底座 电压
v
EBO
5 v
收集器 电流 (直流)
c
4 一个
收集器 电流 (峰值)
c
8 一个
收集器 电源 耗散
p
c
40 w
接合点 温度
t
j
150
°
c
存储 温度
t
stg
-55~150
°
c
电气 特性
特性 符号 测试一下 cond活动 最小值 典型值 最大值 单位
收集器 剪切 关 电流
CBO
v
cb
= 80v, 我
e?
= 0a
- - 100
µ
一个
收集器 – 发射器 击穿 电压
v
(br)ceo
c
= 50ma, 我
B
= 0a
80 - -
v
直流 电流 增益
h
v
ce
= 4v, 我
c
= 1a
v
ce
= 4v, 我
c
= 0.1a
60
35
-
-
200
-
-
-
收集器 发射器 饱和度 电压
v
ce(sat)
c
= 2a, 我
B
= 0.2a
- - 1
v
底座 发射器 电压
v
v
ce
= 4v, 我
c
= 1a
- - 1.5
v
过渡 频率
f
t
v
ce
= 5v, 我
c
= 0.5a
- 10 -
MHz
收集器 出点 put 电容
c
ob
v
cb
= 20v, 我
e?
= 0a, f=1mhz
- 40 -
pf
分类 的 h
等级 b c
范围 60 至 120 100-200
p
mc
储备金 这 右侧 至 制造 变更 无 进一步 通知 至 任何 产品 此处.
p
mc
使 否 保修, 表示法 或 保函 关于 这
适用性 的 其 产品 用于 任何 特别 目的, 也没有 是否
p
mc
假设 任何 责任 产生 出点 的 这 应用程序 或 使用 的 任何 产品 或 电路, 和
具体而言 否认 任何 和 全部 责任, 包括 无 限制 后果性 损害赔偿. 这 示例 的 已应用 中国保监会uits 是 提供 作为 参考 至 这
阅读器 因此 我们 应 不 undertake 任何 责任 用于 这 练习 的 权利 由 第三 缔约方.
高 电源
耗散
中 速度
电源
开关
至 – 220ab
1 : 底座
2 : 收集器 (热量 水槽)
3 : 发射器
单位 入点 mm
至-220ab
g高温: 1.9g
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