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将.2004                                 版本 :0.0                              第页 1 的 1
9018 硅 npn 外延 晶体管
描述
:这 9018 是 设计 用于 uhf
概述 放大器 应用程序
特点:
●
优秀 h
铁
线性度
●
优秀 f
t
特性
芯片 外观
芯片 尺寸
360um
×
360um
芯片 厚度
210
±
20um
底座
φ
65um
搭接 衬垫 尺寸
发射器
φ
65um
前 金属 AlSiCu
背面 金属 au (作为)
抄写员 线 宽度 50um
晶圆 尺寸 6 英寸
电气 特性( 助教=25
℃
)
特性
符号 测试一下 条件 最小 最大值 单位
收集器 截止 电流 我
CBO
v
cb
=20v, 我
e?
=0  0.1 ua
发射器 截止 电流 我
EBO
v
eb
=3v, 我
c
=0  0.1 ua
收集器-底座 击穿 电压 BV
CBO
我
c
=0.1ma 30  v
集电极-发射极 击穿 电压 BV
CEO
我
c
=1mA 20  v
发射器-底座 击穿 电压 BV
EBO
我
e?
=0.1ma 5  v
直流 电流 增益 h
铁
v
ce
=5v, 我
c
=1ma 60 200
收集器 饱和度 电压
v
ce
(sat)
我
c
=10ma,我
B
=1mA 0.3 v
9018

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将.2004 版本 :0.0 第页 1 的 1 9018 硅 npn 外延晶体管描述 :这 9018 是设计用于 uhf 概述放大器应用程序特点: ● 优秀 h 铁线性度 ● 优秀 f t 特性芯片外观芯片尺寸 360um × 360um 芯片厚度 210 ± 20um 底座 φ 65um 搭接衬垫尺寸发射器 φ 65um 前金属 AlSiCu 背面金属 au (作为) 抄写员线宽度 50um 晶圆尺寸 6 英寸电气特性( 助教=25 ℃ ) 特性符号测试一下条件最小最大值单位收集器截止电流我 CBO v cb =20v, 我 e? =0 0.1 ua 发射器截止电流我 EBO v eb =3v, 我 c =0 0.1 ua 收集器-底座击穿电压 BV CBO 我 c =0.1ma 30 v 集电极-发射极击穿电压 BV CEO 我 c =1mA 20 v 发射器-底座击穿电压 BV EBO 我 e? =0.1ma 5 v 直流电流增益 h 铁 v ce =5v, 我 c =1ma 60 200 收集器饱和度电压 v ce (sat) 我 c =10ma,我 B =1mA 0.3 v 9018

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