1996
数据 薄板
mos 地方 效应 晶体管
2SK2112
n-频道 mos 场效应晶体管
为 高-速 切换
包装 维度 (在 mm)
1.5 ± 0.1
0.41
+0.03
–0.05
0.8 最小值
0.42
±0.06
1.5
3.0
0.47
±0.06
0.42
±0.06
2.5 ± 0.1
4.0 ± 0.25
4.5 ± 0.1
1.6 ± 0.2
S
D
G
相等的 电路
源 (s)
内部的 二极管
门 保护
二极管
门 (g)
流 (d)
管脚 连接
s: 源
d: 流
g: 门
标记: nv
这 2sk2112 是 一个 n-频道 mos 场效应晶体管 的 一个 vertical 类型 和
是 一个 切换 元素 那 能 是 直接地 驱动 用 这 输出 的
一个 ic 运行 在 5 v.
这个 产品 有 一个 低 在 阻抗 和 superb 切换
特性 和 是 完美的 为 驱动 这 actuators, 此类 作
发动机 和 直流/直流 转换器.
特性
• 低 在 阻抗
R
ds(在)
= 1.2
Ω
最大值 @v
GS
= 4.0 v, i
D
= 0.5 一个
• 高 切换 速
t
在
+ t
止
< 100 ns
• 低 parasitic 电容
文档 非. d11232ej2v0ds00 (2nd 版本)
日期 发行 六月 1996 p
打印 在 日本
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
参数 标识 测试 情况 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
V
GS
= 0 100 V
门 至 源 电压 V
GSS
V
DS
= 0
±
20 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±
1.0 一个
流 电流 (脉冲波) I
d(脉冲波)
PW
≤
10 ms,
±
2.0 一个
职责 循环
≤
50 %
总的 电源 消耗 P
T
16 cm
2
×
0.7 mm, 陶瓷的 基质 使用 2.0 W
频道 温度 T
ch
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 ˚C
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