ds05-11039-4e
富士通 半导体
数据s他et
记忆
CMOS
2
×
512 k
×
16 有点
同步 动态 ram
mb81f161622b-60/-70/-80
cmos 2-银行
×
524,288-字
×
16 有点
同步 动态 随机 访问权限 记忆
■
描述
这 富士通 mb81f161622b 是 一个 cmos 同步 动态 随机 访问权限 记忆 (sdram) 包含
16,777,216 记忆 细胞 无障碍 入点 一个 16-有点 格式. 这 mb81f161622b 特点 一个 完全 同步
操作 引用 至 一个 正 边缘 时钟 由此 全部 运营 是 已同步 在 一个 时钟 输入 哪个
启用 高 业绩 和 简单 用户 接口 coexistence. 这 mb81f161622b sdram 是 设计 至
减少 这 复杂性 的 使用 一个 标准 动态 ram (dram) 哪个 需要 许多 控制 信号 计时
约束条件, 和 将 改善 数据 带宽 的 记忆 作为 很多 作为 5 次 更多 比 一个 标准 dram.
这 mb81f161622b 是 理想情况下 适合 用于 激光 打印机, 高 分辨率 图形 适配器, accelerators 和 其他
应用程序 在哪里 一个 极其 大型 记忆 和 带宽 是 必填项 和 在哪里 一个 简单 接口 是
需要.
■
产品 线 &放大器; 特点
参数
MB81F161622B 参考 规格
(100mhz
@cl=3)
-60 -70 -80
cl - t
刚果民盟 -
t
rp
3 - 3 - 3 clk 最小值 3 - 3 - 3 clk 最小值 3 - 3 - 3 clk 最小值 3 - 3 - 3 clk 最小值
时钟 频率 (cl = 3) 167 mhz 最大值 143 mhz 最大值 125 mhz 最大值 100 mhz 最大值
突发 模式 循环 时间 (cl = 3) 6.0 ns 最小值 7.0 ns 最小值 8.0 ns 最小值 10 ns 最小值
访问权限 时间 从 时钟 (cl = 3) 5.5 ns 最大值 6 ns 最大值 6 ns 最大值 6 ns 最大值
操作 电流 (两个 银行 活动) 200 ma 最大值 180 ma 最大值 160 ma 最大值 140 ma 最大值
电源 向下 模式 电流 (我
CC2P
) 400µa 最大值 400µa 最大值 400µa 最大值 400µa 最大值
自我 刷新 模式 电流 (我
CC6
) 400µa 最大值 400µa 最大值 400µa 最大值 400µa 最大值
• 单独 +3.3 v 供应: +0.3 v /
−
0.15 v 公差 (-60)
±
0.3 v 公差 (-70/-80)
• lvttl 兼容 我/o 接口
• 4 k 刷新 循环次数 每 64 ms
• 双 银行 操作
• 突发 阅读/写 操作 和 突发
阅读/单独 写 操作 能力
• 字节 控制 由 dqmu/dqml
• 可编程 突发 类型, 突发 长度,
和 cas 延迟
• 自动-和 自刷新 (每 15.6
µ
s)
• cke 电源 向下 模式
• 输出 启用 和 输入 数据 面具
• 167 mhz/143mhz/125 mhz 时钟 频率
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