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资料编号:106199
 
资料名称:ISL9N308AD3
 
文件大小: 273.89K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mз
 
 


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©2002 仙童 半导体 公司
六月 2002
isl9n308ad3 / isl9n308ad3st rev c
isl9n308ad3 / isl9n308ad3st
isl9n308ad3 / isl9n308ad3st
n通道 逻辑 水平 ultrafet
®
海沟 电源 mosfets
30v, 50a, 8m
概述 描述
这个 设备 雇用 一个 新建 高级 海沟 场效应晶体管
低 开启-电阻.
优化 用于 开关 应用程序, 这个 设备 改进
这 总体 效率 的 直流/直流 转换器 和 允许
操作 至 较高 开关 频率.
应用程序
直流/直流 转换器
特点
快 开关
•r
ds(开启)
= 0.0064
(典型值), v
gs
= 10v
•r
ds(开启)
= 0.010
(典型值), v
gs
= 4.5v
•Q
g
(典型值) = 24nc, v
gs
= 5v
•Q
gd
(典型值) = 8nc
•C
国际空间站
(典型值) = 2600pf
场效应晶体管 最大值 额定值
t
c
= 25°c 除非 否则 已注明
热 特性
包装 标记 和 订购 信息
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
排水管 至 来源 电压 30 v
v
gs
闸门 至 来源 电压
±
20 v
d
排水管 电流
50 一个
连续 (t
c
= 25
o
c, v
gs
= 10v) 备注 1
连续 (t
c
= 100
o
c, v
gs
= 4.5v) 备注 1 48 一个
连续 (t
c
= 25
o
c, v
gs
= 10v, 右
θ
jc
= 52
o
c/w) 14 一个
脉冲 图 4 一个
p
d
电源 耗散
降额 以上 25
o
c
100
0.67
w
w/
o
c
t
j
, t
stg
操作 和 存储 温度 -55 至 175
o
c
θ
jc
热 电阻 接合点 至 案例 至-252, 至-251 1.5
o
c/w
θ
ja
热 电阻 接合点 至 环境 至-252, 至-251 100
o
c/w
θ
ja
热 电阻 接合点 至 环境 至-252, 1in
2
铜 衬垫 面积 52
o
c/w
设备 标记 设备 包装 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
N308AD ISL9N308AD3ST 至-252aa 330mm 16mm 2500 单位
d
g
s
pwm 优化
g
s
d
至-252
d-pak
(至-252)
g ds
我-pak
(至-251aa)
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