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smbt 3904pn
半导体 集团
au -27-19971
npn 硅 开关 晶体管 阵列
初步 数据
•
高 电流 增益
•
低 集电极-发射极 饱和度 电压
•
两个 (原电池) 内部 隔离 npn/pnp
晶体管 入点 一个 包装
VPS05604
6
3
1
5
4
2
管脚 配置
npn-晶体管
1 = e? 2 = b
类型
6 = c
标记 packageordering 代码
pnp-晶体管
4 = esmbt 3904pn s3P sot-363q62702-c 5 = b 6 = c
最大值 额定值
参数
符号 UnitValue
集电极-发射极 电压
v
CEO
V40
收集器-底座 电压
v
CBO
40
发射器-底座 电压
v
EBO
6
直流 收集器 电流
我
c
200 ma
合计 电源 耗散,
t
s
= 115 °c
p
tot
250 mW
接合点 温度
t
j
150 °C
存储 温度
t
stg
- 65...+150
热 电阻
接合点 环境
1)
右
thja
≤
275 k/w
热 电阻, 芯片 案例
右
thjc
≤
140
1) 包装 已安装 开启 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm
半导体 集团 1 1998-11-01

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smbt 3904pn 半导体集团 au -27-19971 npn 硅开关晶体管阵列初步数据 • 高电流增益 • 低集电极-发射极饱和度电压 • 两个 (原电池) 内部隔离 npn/pnp 晶体管入点一个包装 VPS05604 6 3 1 5 4 2 管脚配置 npn-晶体管 1 = e? 2 = b 类型 6 = c 标记 packageordering 代码 pnp-晶体管 4 = esmbt 3904pn s3P sot-363q62702-c 5 = b 6 = c 最大值额定值参数符号 UnitValue 集电极-发射极电压 v CEO V40 收集器-底座电压 v CBO 40 发射器-底座电压 v EBO 6 直流收集器电流我 c 200 ma 合计电源耗散, t s = 115 °c p tot 250 mW 接合点温度 t j 150 °C 存储温度 t stg - 65...+150 热电阻接合点环境 1) 右 thja ≤ 275 k/w 热电阻, 芯片案例右 thjc ≤ 140 1) 包装已安装开启 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm 半导体集团 1 1998-11-01

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