rs1a/b–rs1m/b
vishay lite–on 电源 半导体
rev. a2,24-六月-98 1 (4)
1.0a 表面 挂载 快 恢复 整流器
特性
D
glass 钝化的 消逝 构建
D
快 恢复 时间 为 高 效率
D
低 向前 电压 漏出 和 高 电流
能力
D
surge 超载 比率 至 30a 顶峰
D
ideally suited 为 automated 组装
D
塑料 材料 – ul recognition flammability
分类 94v–0
14 428
SMA
SMB
绝对 最大 比率
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 值 单位
repetitive 顶峰 反转 电压 rs1a/ab V
RRM
50 Vg
=working 顶峰 反转 电压
直流 Bl ki lt
rs1b/bb
RRM
=V
RWM
V
100 V
=直流 blocking 电压
rs1d/db
=V
R
200 V
rs1g/gb 400 V
rs1j/jb 600 V
rs1k/kb 800 V
rs1m/mb 1000 V
顶峰 向前 surge 电流 I
FSM
30 一个
平均 向前 电流 T
T
=120
°
C I
FAV
1 一个
接合面 和 存储 温度 范围 T
j
=T
stg
–65...+150
°
C
电的 特性
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 I
F
=1.5a V
F
1.3 V
反转 电流 T
一个
=25
°
C I
R
5
m
一个
T
一个
=125
°
C I
R
200
m
一个
反转 恢复 时间 I
R
=1a, i
F
=0.5a, rs1a/ab–g/gb t
rr
150 nsy
R F
I
rr
=0.25a
rs1j/jb t
rr
250 ns
rs1k/kb–m/mb t
rr
500 ns
二极管 电容 V
R
=4v, f=1mhz C
D
15 pF
热的 阻抗
接合面 至 终端
R
thJT
20 k/w
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