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摩托罗拉 tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
预付款 信息
TMOS e?-场效应晶体管.
电源 字段 效果 晶体管
n–channel enhancement–mode 硅 闸门
这个 高级 tmos 电源 场效应晶体管 是 设计 至 承受 高
能源 入点 这 雪崩 和 换向 模式. 这个 新建 能源
高效 设计 也 优惠 一个 drain–to–source 二极管 与 一个 快
回收 时间. 设计 用于 低 电压, 高 速度 开关
应用程序 入点 电源 供应品, 转换器, pwm 电机 控件,
这些 设备 是 特别是 井 适合 用于 桥梁 电路 在哪里
二极管 速度 和 换向 安全 操作 面积 是 关键 和
报价 附加 安全 边距 反对 意外 电压 tran-
sients.
•
雪崩 能源 指定
•
source–to–drain 二极管 回收 时间 可比 至 一个 dis-
克里特岛 快 回收 二极管
•
二极管 是 表征 用于 使用 入点 桥梁 电路
•
我
DSS
和 v
ds(开启)
指定 在 高架 温度
最大值 额定值
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级 符号 值 单位
drain–to–source 电压 v
DSS
100 Vdc
drain–to–gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
Ω
) v
DGR
100 Vdc
gate–to–source 电压 — 连续
gate–to–source 电压— 单独 脉冲 (t
p
≤
50
m
s)
v
gs
v
GSM
±
20
±
25
Vdc
Vdc
排水管 电流 — 连续
排水管 电流— 连续 @ 100
°
c
排水管 电流— 单独 脉冲 (t
p
≤
10
m
s)
我
d
我
d
我
dm
14
10
49
adc
Apk
合计 电源 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
78
0.63
瓦特
w/
°
c
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
– 55 至 150
°
c
松开 drain–to–source 雪崩 特性
(t
j
&指示灯; 150
°
c)
单独 脉冲 drain–to–source 雪崩 能源 — 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 75 v, v
gs
= 10 v, 峰值 我
l
= 14 一个, l = 1.0 mh, 右
g
= 25
w
)
e?
作为
98
mJ
热 特性
热 电阻 — junction–to–case
°
热 电阻— junction–to–ambient
°
右
θ
jc
右
θ
ja
1.60
62.5
°
c/w
最大值 铅 温度 用于 焊接 目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒 t
l
275
°
c
这个 文件 包含 信息 开启 一个 新建 产品. 规格 和 信息 此处 是 主题 至 变更 无 通知.
e–fet 是 一个 商标 的 摩托罗拉, 公司 tmos 是 一个 已注册 商标 的 摩托罗拉, 公司
订单 这个 文件
由 irf530/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
IRF530
tmos 电源 场效应晶体管
14 安培
100 伏特
右
ds(开启)
= 0.16
w
d
s
g
案例 221a–09
至-220ab
摩托罗拉, 公司 1997
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