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摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
放大器 晶体管
pnp 硅
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
收集器 – 发射器 电压 v
CEO
–50 Vdc
收集器 – 底座 电压 v
CBO
–60 Vdc
发射器– 底座 电压 v
EBO
–5.0 Vdc
收集器 电流 — 连续 我
c
–100 mAdc
合计 设备 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
350
2.8
mW
mw/
°
c
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
1.0
8.0
瓦特
mw/
°
c
操作 和 存储 接合点
温度 范围
t
j
, t
stg
– 55 至 +150
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 环境
右
q
ja
357
°
c/w
热 电阻, 接合点 至 案例
右
q
jc
125
°
c/w
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 最大值 单位
收集器 – 发射器 击穿 电压
(我
c
= –1.0 madc, 我
B
= 0)
v
(br)ceo
–50 — Vdc
收集器 – 底座 击穿 电压
(我
c
= –10
m
adc, 我
e?
= 0)
v
(br)cbo
–60 — Vdc
发射器– 底座 击穿 电压
(我
e?
= –10
m
adc, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
–5.0 — Vdc
collector–emitter 泄漏 电流
(v
cb
= –60 vdc)
我
CBO
— –100 nAdc
emitter–base 泄漏 电流
(v
eb
= –5.0 vdc, 我
c
= 0)
我
EBO
— –100 nAdc
订单 这个 文件
由 la733p/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
LA733P
案例 29–11, 风格 14
to–92 (to–226aa)
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3
摩托罗拉, 公司 1998
收集器
2
3
底座
1
发射器
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