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摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
放大器 晶体管
npn 硅
最大值 额定值
评级 符号
bc
182
bc
183
bc
184
单位
收集器– 发射器 电压 v
CEO
50 30 30 Vdc
收集器– 底座 电压 v
CBO
60 45 45 Vdc
发射器– 底座 电压 v
EBO
6.0 Vdc
收集器 电流 — 连续 我
c
100 mAdc
合计 设备 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
350
2.8
mW
mw/
°
c
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
1.0
8.0
瓦特
mw/
°
c
操作 和 存储 接合点
温度 范围
t
j
, t
stg
– 55 至 +150
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 环境
右
q
ja
357
°
c/w
热 电阻, 接合点 至 案例
右
q
jc
125
°
c/w
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
收集器– 发射器 击穿 电压
(我
c
= 2.0 ma, 我
B
= 0) BC182
BC183
BC184
v
(br)ceo
50
30
30
—
—
—
—
—
—
v
收集器– 底座 击穿 电压
(我
c
= 10
m
一个, 我
e?
= 0) BC182
BC183
BC184
v
(br)cbo
60
45
45
—
—
—
—
—
—
v
发射器– 底座 击穿 电压
(我
e?
= 100
m
一个, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
6.0 — — v
收集器 截止 电流
(v
cb
= 50 v, v
是
= 0) BC182
(v
cb
= 30 v, v
是
= 0) BC183
BC184
我
CBO
—
—
—
0.2
0.2
0.2
15
15
15
不适用
emitter–base 泄漏 电流
(v
eb
= 4.0 v, 我
c
= 0)
我
EBO
— — 15 不适用
订单 这个 文件
由 bc182/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
bc182,一个,b
BC183
BC184
案例 29–04, 风格 17
to–92 (to–226aa)
1
2
3
摩托罗拉, 公司 1996
收集器
1
2
底座
3
发射器
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