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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
放大器 晶体管
npn 硅
最大 比率
比率 标识
BC
182
BC
183
BC
184
单位
集电级– 发射级 电压 V
CEO
50 30 30 Vdc
集电级– 根基 电压 V
CBO
60 45 45 Vdc
发射级– 根基 电压 V
EBO
6.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
100 mAdc
总的 设备 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
350
2.8
mW
mw/
°
C
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
1.0
8.0
Watts
mw/
°
C
运行 和 存储 接合面
温度 范围
T
J
, t
stg
– 55 至 +150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
357
°
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 情况
R
q
JC
125
°
c/w
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
集电级– 发射级 损坏 电压
(i
C
= 2.0 毫安, i
B
= 0) BC182
BC183
BC184
V
(br)ceo
50
30
30
—
—
—
—
—
—
V
集电级– 根基 损坏 电压
(i
C
= 10
m
一个, i
E
= 0) BC182
BC183
BC184
V
(br)cbo
60
45
45
—
—
—
—
—
—
V
发射级– 根基 损坏 电压
(i
E
= 100
m
一个, i
C
= 0)
V
(br)ebo
6.0 — — V
集电级 截止 电流
(v
CB
= 50 v, v
是
= 0) BC182
(v
CB
= 30 v, v
是
= 0) BC183
BC184
I
CBO
—
—
—
0.2
0.2
0.2
15
15
15
nA
emitter–base 泄漏 电流
(v
EB
= 4.0 v, i
C
= 0)
I
EBO
— — 15 nA
顺序 这个 文档
用 bc182/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
bc182,一个,b
BC183
BC184
情况 29–04, 样式 17
to–92 (to–226aa)
1
2
3
motorola, 公司 1996
集电级
1
2
根基
3
发射级
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