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摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
TMOS 场效应晶体管 晶体管
N–Channel
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
drain–source 电压 v
DSS
100 Vdc
gate–source 电压
— 连续
— non–repetitive (t
p
≤
50
µ
s)
v
gs
v
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
排水管 电流
连续
(1)
脉冲
(2)
我
d
我
dm
0.17
0.68
adc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散 fr– 5 板
(3)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
225
1.8
mW
mw/
°
c
热 电阻, 接合点 至 环境
右
q
ja
556
°
c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
– 55 至 +150
°
c
设备 标记
bss123lt1 = sa
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性 符号 最小 Typ 最大值 单位
关 特性
drain–source 击穿 电压
(v
gs
= 0, 我
d
= 250
µ
adc)
v
(br)dss
100 — — Vdc
零 闸门 电压 排水管 电流
(v
gs
= 0, v
ds
= 100 vdc) t
j
= 25
°
c
t
j
= 125
°
c
我
DSS
—
—
—
—
15
60
µ
adc
gate–body 泄漏 电流
(v
gs
= 20 vdc, v
ds
= 0)
我
GSS
— — 50 nAdc
开启 特性
(4)
闸门 阈值 电压
(v
ds
= v
gs
, 我
d
= 1.0 madc)
v
gs(th)
0.8 — 2.8 Vdc
静态 drain–source on–resistance
(v
gs
= 10 vdc, 我
d
= 100 madc)
右
ds(开启)
— 5.0 6.0
Ω
前进 跨导
(v
ds
= 25 vdc, 我
d
= 100 madc)
g
fs
80 — — mmhos
1. 这 电源 耗散 的 这 包装 将 结果 入点 一个 下部 连续 排水管 电流.
2. 脉冲 宽度
v
300
m
s, 职责 循环
v
2.0%.
3. FR– 5 = 1.0
0.75
0.062 入点.
4. 脉冲 测试一下: 脉冲 宽度
v
300
m
s, 职责 循环
v
2.0%.
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
订单 这个 文件
由 bss123lt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
BSS123LT1
摩托罗拉 首选 设备
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3
案例 318 – 08, 风格 21
SOT– 23 (至 – 236ab)
摩托罗拉, 公司 1997
3 排水管
2 来源
1
闸门
rev 2
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