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摩托罗拉 tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计师's
数据 工作表
中 电源 表面 安装 产品
TMOS 双 n通道
字段 效果 晶体管
MiniMOS
设备 是 一个 高级 系列 的 电源 场效应晶体管s
哪个utilize? motorola’s high cell density hDTMOs process.
这些微型 表面 安装 场效应晶体管s 功能 超 低 右
ds(开启)
和真 逻辑 水平 业绩. 他们 是 有能力 的 承受
高e?nergy 我n the? 一个valanche? 一个nd commutation m颂歌s 一个nd t他
drain–to–sourcediode? h一个s 一个 very low 右everse? 右ecovery t输入法.
MiniMOS设备 是 设计 用于 使用 入点 低 电压, 高 速度
开关 应用程序 在哪里 电源 效率 是 重要. 典型
应用程序一个右e? dc–dcconverters, 一个nd p欠右 management 我n
采购订单rtable? 一个nd b一个tteryp低在这里d p右外径ucts such 一个s computers,
打印机,细胞 和 无绳 电话. 他们 可以 也 是 已使用 用于
低电压 电机 控件 入点 质量 存储 产品 这样的 作为 磁盘
驱动器 和 胶带 驱动器.
•
超 低 右
ds(开启)
提供 较高 效率 和 扩展 蓄电池 生活
•
逻辑 水平 闸门 驱动器 — 可以 是 驱动 由 逻辑 ics
•
微型 so–8 表面 安装 包装 — 保存 板 空间
•
二极管 是 表征 用于 使用 入点 桥梁 电路
•
二极管 展品 高 速度, 与 软 回收
•
我
DSS
指定 在 高架 温度
•
安装 信息 用于 so–8 包装 提供
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
drain–to–source 电压 v
DSS
20 Vdc
drain–to–gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
Ω
) v
DGR
20 Vdc
gate–to–source 电压 — 连续 v
gs
±
12 Vdc
排水管 电流 — 连续 @ t
一个
= 25
°
c
排水管 电流— 连续 @ t
一个
= 100
°
c
排水管 电流— 单独 脉冲 (t
p
≤
10
µ
s)
我
d
我
d
我
dm
5.2
4.1
48
adc
Apk
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
(1)
p
d
2.0 瓦特
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
– 55 至 150
°
c
热 电阻 — 接合点 至 环境
(1)
右
θ
ja
62.5
°
c/w
最大值 铅 t温度 用于 焊接 目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒 t
l
260
°
c
设备 标记
D4N01
(1) 已安装开启 2” 方块字 fr4 板 (1” sq. 2 盎司. 铜 0.06” 厚 单独 sided) 与 一个 模具 operating, 10 sec. 最大值
订购 信息
设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
MMSF4N01HDR2 13
″
12 mm 压花 胶带 2500 单位
设计师’s 数据 用于 “w奥斯特 case” 条件
— 这 设计师’s 数据 工作表 许可证 这 设计 的 大多数 电路 完全 从 这 信息 已提交. soa 限制
曲线 — 代表边界 开启 设备 特性 — 是 给定 至 促进 “worst case” 设计.
设计师’s,hdtmos 和 minimos 是 商标 的 摩托罗拉, 公司 tmos 是 一个 已注册 商标 的 摩托罗拉, 公司
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
订单 这个 文件
由 mmdf4n01hd/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
摩托罗拉, 公司 1996
d
s
g
案例 751–05, 风格 11
SO–8
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Gate–1
Source–2
Gate–2
Drain–1
Drain–1
Drain–2
Drain–2
MMDF4N01HD
双 tmos
电源 场效应晶体管
4.0 安培
20 伏特
右
ds(开启)
= 0.045 欧姆
摩托罗拉 首选 设备
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
rev 5
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