1
摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
四边形 互补 对
晶体管
pnp/npn 硅
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
收集器 – 发射器 电压 v
CEO
40 Vdc
收集器 – 底座 电压 v
cb
40 Vdc
发射器– 底座 电压 v
eb
5.0 Vdc
收集器 电流 — 连续 我
c
200 mAdc
每个
晶体管
四
晶体管
相等 电源
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
0.4
3.2
0.72
6.4
瓦特
mw/
°
c
合计 电源 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
0.66
5.3
1.92
15.4
瓦特
mw/
°
c
操作 和 存储 接合点
温度 范围
t
j
, t
stg
–55 至 +150
°
c
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 最大值 单位
关 特性
收集器 – 发射器 击穿 电压
(1)
(我
c
= 10 madc, 我
B
= 0)
v
(br)ceo
40 — Vdc
收集器 – 底座 击穿 电压 (我
c
= 10
m
adc, 我
e?
= 0)
v
(br)cbo
40 — Vdc
发射器– 底座 击穿 电压 (我
e?
= 10
m
adc, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
5.0 — Vdc
收集器 截止 电流 (v
cb
= 30 vdc, 我
e?
= 0) 我
CBO
— 50 nAdc
发射器 截止 电流 (v
eb
= 4.0 vdc, 我
c
= 0) 我
EBO
— 50 nAdc
开启 特性
(1)
直流 电流 增益
(我
c
= 0.1 madc, v
ce
= 1.0 vdc)
(我
c
= 1.0 madc, v
ce
= 1.0 vdc)
(我
c
= 10 madc, v
ce
= 1.0 vdc)
h
铁
35
50
70
—
—
—
—
收集器 – 发射器 饱和度 电压 (我
c
= 10 madc, 我
B
= 1.0 madc) v
ce(sat)
— 0.25 Vdc
底座 – 发射器 饱和度 电压 (我
c
= 10 madc, 我
B
= 1.0 madc) v
是(sat)
— 0.9 Vdc
动态 特性
电流 – 增益 — 带宽 产品
(1)
(我
c
= 10 madc, v
ce
= 20 vdc, f = 100 mhz)
f
t
200 — MHz
输出 电容
(v
cb
= 5.0 vdc, 我
e?
= 0, f = 1.0 mhz)
c
ob
— 4.5 pf
输入 电容
(v
eb
= 0.5 vdc, 我
c
= 0, f = 1.0 mhz) pnp
npn
c
ib
—
—
10
8.0
pf
1. 脉冲 测试一下: 脉冲 宽度
v
300
m
s, 职责 循环
v
2.0%.
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
订单 这个 文件
由 mmpq6700/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MMPQ6700
案例 751b–05, 风格 4
SO–16
1
16
电压 和 电流 是 负
用于 pnp 晶体管
摩托罗拉, 公司 1997
1
2
3
4
5
6
7
8
10
11
12
13
14
15
16
9
: 点此下载
