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摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
偏差 电阻 晶体管
pnp 硅 表面 安装 晶体管 与
单片 偏差 电阻 网络
这个 新建 系列 的 数字 晶体管 是 设计 至 更换 一个 单独 设备 和 其
外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻 晶体管) 包含 一个 单独
晶体管 与 一个 单片 偏差 网络 由 的 两个 电阻; 一个 系列 底座
电阻 和 一个 基极-发射极 电阻. 这 brt 消除 这些 个人 组件
由 集成 他们 进入 一个 单独 设备. 这 使用 的 一个 brt 可以 减少 两者都有 系统
成本 和 板 空间. 这 设备 是 已安置 入点 这 sot-23 包装 哪个 是
设计 用于 低 电源 表面 安装 应用程序.
•
简化了 电路 设计
•
减少 板 空间
•
减少 组件 计数
•
这 sot-23 包装 可以 是 焊接 使用 波浪 或
回流. 这 已修改 海鸥-winged 导联 吸收 热
应力 期间 焊接 消除 这 可能性 的
损伤 至 这 模具.
•
可用 入点 8 mm 压花 胶带 和 卷轴. 使用 这
设备 号码 至 订单 这 7 英寸/3000 单位 卷轴.
更换 “t1” 与 “t3” 入点 这 设备 号码 至 订单
这 13 英寸/10,000 单位 卷轴.
最大值 额定值
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
50 Vdc
集电极-发射极 电压 v
CEO
50 Vdc
收集器 电流 我
c
100 mAdc
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
(1)
降额 以上 25
°
c
p
d
*200
1.6
mW
mw/
°
c
热 特性
评级 符号 值 单位
热 电阻 — 交叉点到环境 (表面 已安装) 右
θ
ja
625
°
c/w
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
– 65 至 +150
°
c
最大值 温度 用于 焊接 目的,
时间 入点 焊料 浴缸
t
l
260
10
°
c
秒
设备 标记 和 电阻 数值
设备 标记 r1 (k) r2 (k)
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
(2)
A6A
A6B
A6C
A6D
A6E
10
22
47
10
10
10
22
47
47
∞
1. 设备 已安装 开启 一个 右前-4 玻璃 环氧树脂 已打印 电路 板 使用 这 最小值 推荐 占地面积.
2. 新建 设备. 已更新 曲线 至 跟着 入点 后续 数据 床单.
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
(替换 mmun2111t1/d)
订单 这个 文件
由 mmun2111lt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
摩托罗拉, 公司 1996
MMUN2111LT1
系列
pnp 硅
偏差 电阻
晶体管
摩托罗拉 首选 设备
案例 318-08, 风格 6
sot-23 (至-236ab)
1
2
3
管脚 3
收集器
(输出)
管脚 2
发射器
(接地)
管脚 1
底座
(输入)
R1
R2
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