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摩托罗拉 tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计师's
数据 工作表
TMOS v
电源 字段 效果 晶体管
d
2
PAK 用于 表面 安装
n–channel enhancement–mode 硅 闸门
TMOSv 我s 一个 ne?w technology designed to 一个chieve? 一个 on–resistance
面积产品 关于 one–half 那 的 标准mosfets. 这个 新建
技术更多 比 双打 这 目前 细胞 密度 的 我们的 50
和60 电压 tmos 设备. 只是 作为 与 我们的 tmos e–fet 设计,
tmos v 是 设计 至 承受 高 能源 入点 这 雪崩 和
commutationm外径es. des我gned fo右 l低voltage, high speed
开关一个应用s 我n p欠右 supplies, converters 一个nd p功率
电机 控件, 这些 设备 是 特别是 井 适合 用于 桥梁
电路 在哪里 二极管 速度 和 换向 安全 操作 区域
是关键 和 的fer附加 安全 边距 反对 意外
电压 瞬变.
新建 特点 的 tmos v
•
on–resistance 面积 产品 关于 one–half 那 的 标准
mosfets 与 新建 低 电压, 低 右
ds(开启)
技术
•
更快 开关 比 e–fet predecessors
特点 普通 至 tmos v 和 tmos e–fets
•
雪崩 能源 指定
•
我
DSS
和 v
ds(开启)
指定 在 高架 温度
•
静态 参数 是 这 相同 用于 两者都有 tmos v 和
tmos e–fet
•
表面 安装 包装 可用 入点 16 mm 13–inch/2500 单位
胶带 &放大器; 卷轴, 添加 t4 后缀 至 零件 号码
最大值 额定值
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
drain–to–source 电压 v
DSS
60 Vdc
drain–to–gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
Ω
) v
DGR
60 Vdc
gate–to–source 电压 — 连续
gate–source 电压— non–repetitive (t
p
≤
50
µ
s)
v
gs
v
GSM
±
20
±
25
Vdc
Vpk
排水管 电流 — 连续 @ 25
°
c
排水管 电流— 连续 @ 100
°
c
排水管 电流— 单独 脉冲 (t
p
≤
10
µ
s)
我
d
我
d
我
dm
32
22.6
112
adc
Apk
合计 电源 耗散 @ 25
°
c
降额 以上 25
°
c
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c (1)
p
d
90
0.6
3.0
瓦特
w/
°
c
瓦特
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
– 55 至 175
°
c
单独 脉冲 drain–to–source 雪崩 能源 — 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 25 vdc, v
gs
= 10 vdc, 峰值 我
l
= 32 apk, l = 0.1 mh, 右
g
= 25
Ω
)
e?
作为
205 mJ
热 电阻 — 接合点 至 案例
热 电阻— 接合点 至 环境
热 电阻— 接合点 至 环境 (1)
右
θ
jc
右
θ
ja
右
θ
ja
1.67
62.5
50
°
c/w
最大值 铅 t温度 用于 焊接 目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒 t
l
260
°
c
(1) 当 表面 已安装 至 一个 fr4 板 使用 这 最小值 推荐 衬垫 尺寸.
设计师’s 数据 用于 “w奥斯特 case” 条件
— 这 设计师’s 数据 工作表 许可证 这 设计 的 大多数 电路 完全 从 这 信息 已提交. soa 限制
曲线 — 代表边界 开启 设备 特性 — 是 给定 至 促进 “worst case” 设计.
Designer’s是 一个 商标 的 摩托罗拉, 公司 tmos 是 一个 已注册 商标 的 摩托罗拉, 公司
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
rev 2
订单 这个 文件
由 mtb36n06v/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
tm
MTB36N06V
tmos 电源 场效应晶体管
32 安培
60 伏特
右
ds(开启)
= 0.04 欧姆
案例 418b–02, 风格 2
d
2
PAK
d
s
g
摩托罗拉 首选 设备
摩托罗拉, 公司 1996
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