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摩托罗拉 tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计师's
数据 工作表
HDTMOS e?-场效应晶体管.
高 能源 电源 场效应晶体管
d
2
PAK 用于 表面 安装
n–channel enhancement–mode 硅 闸门
这d
2
pak 包装 有 这 能力 的 住房 一个 较大 模具
比任何 现有 表面 安装 包装 哪个 允许 它 至 是 已使用
入点应用程序 那 需要 这使用 的 表面 安装 组件
与较高 电源 和 下部 右
ds(开启)
能力. 这个 高级
high–cell密度 hdtmos 电源场效应晶体管 是 设计 至 承受
高能源 入点 这 雪崩和 换向 模式. 这个 新建
能源 efficient 设计 也 的fers 一个 drain–to–source 二极管 与 一个
快 回收 时间. 设计 用于 低 电压, 高 速度 开关
appl集成电路ati开启s我n p欠右 supp李es, converters 一个nd pwm motor
控件,这些 设备 是 特别是井 适合 用于 桥梁 电路
在哪里diode? s小便d 一个nd commutating safe? operating 一个雷亚尔s 一个re
关键一个nd offe右 一个dditional safety margin 一个gainstunexpected
电压 瞬变.
•
雪崩 能源 指定
•
source–to–drain 二极管 回收 时间 可比 至 一个
离散 快 回收 二极管
•
二极管 是 表征 用于 使用 入点 桥梁 电路
•
我
DSS
和 v
ds(开启)
指定 在 高架 温度
•
短 散热器 选项卡 已制造 — 不 sheared
•
特别 设计 引线框架 用于 最大值 电源 耗散
•
可用 入点 24 mm 13–inch/800 单位 胶带 &放大器; 卷轴, 添加 t4
后缀 至 零件 号码
最大值 额定值
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级 符号 值 单位
drain–to–source 电压 v
DSS
50
伏特
drain–to–gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
Ω
) v
DGR
50
gate–to–source 电压 — 连续 v
gs
±
20
排水管 电流 — 连续
排水管 电流— 连续 @ 100
°
c
排水管 电流— 单独 脉冲 (t
p
≤
10
µ
s)
我
d
我
d
我
dm
75
65
225
安培数
合计 电源 耗散
降额 以上 25
°
c
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c (最小值 占地面积, fr–4 板)
p
d
125
1.0
2.5
瓦特
w/
°
c
瓦特
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
– 55 至 150
°
c
单独 脉冲 drain–to–source 雪崩 能源 — 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 25 v, v
gs
= 10 v, 峰值 我
l
= 75 一个, l = 0.177 mh, 右
g
= 25
Ω
)
e?
作为
500 mJ
热 电阻 — 接合点 至 案例
热 电阻— 接合点 至 环境
热 电阻— 接合点 至 环境 (最小值 占地面积, fr–4 板)
右
θ
jc
右
θ
ja
右
θ
ja
1.0
62.5
50
°
c/w
最大值 t温度 用于 焊接 目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒 t
l
260
°
c
设计师’s 数据 用于 “w奥斯特 case” 条件
— 这 设计师’s 数据 工作表 许可证 这 设计 的 大多数 电路 完全 从 这 信息 已提交. soa 限制
曲线 — 代表边界 开启 设备 特性 — 是 给定 至 促进 “worst case” 设计.
设计师’s,e–fet 和 hdtmos 是 商标 的 摩托罗拉 公司 tmos 是 一个 已注册 商标 的 摩托罗拉, 公司
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
订单 这个 文件
由 mtb75n05hd/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
摩托罗拉, 公司 1995
d
s
g
MTB75N05HD
tmos 电源 场效应晶体管
75 安培
50 伏特
右
ds(开启)
= 9.5 m
Ω
摩托罗拉 首选 设备
案例 418b–02, 风格 2
d
2
PAK
rev 2
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