1
摩托罗拉 tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计师's
数据 工作表
TMOS v
电源 字段 效果 晶体管
p–channel enhancement–mode 硅 闸门
TMOSv 是 一个 新建 技术设计 至 实现 一个 on–resis-
付款面积 产品 关于 one–half 那 的 标准 场效应晶体管s. 这个
新建技术 更多 比 双打 这 目前 细胞 密度 的我们的
50一个nd 60 volt tmos devices. j美国t 一个s w它h ou右 tmose?–FET
设计,tmosv 我s designed to withstand high e?nergy 我n t他
雪崩和 换向 模式. 设计 用于 低 电压, 高
速度switching 一个应用s 我n p欠右 supplies, converters 一个钕
电源 电机 控件, 这些 设备 是 特别是 井 适合 用于
桥梁电路 在哪里 二极管速度 和 换向 安全 操作
areas一个右e? critical 一个nd offe右 一个dditional safety margin 一个gainst
意外 电压 瞬变.
新建 特点 的 tmos v
•
on–resistance 面积 产品 关于 one–half 那 的 标准
mosfets 与 新建 低 电压, 低 右
ds(开启)
技术
•
更快 开关 比 e–fet predecessors
特点 普通 至 tmos v 和 tmos e–fets
•
雪崩 能源 指定
•
我
DSS
和 v
ds(开启)
指定 在 高架 温度
•
静态 参数 是 这 相同 用于 两者都有 tmos v 和
tmos e–fet
最大值 额定值
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
drain–to–source 电压 v
DSS
60 Vdc
drain–to–gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
Ω
) v
DGR
60 Vdc
gate–to–source 电压 — 连续
gate–to–source 电压— non–repetitive (t
p
≤
10 ms)
v
gs
v
GSM
±
15
±
25
Vdc
Vpk
排水管 电流 — 连续 @ 25
°
c
排水管 电流— 连续 @ 100
°
c
排水管 电流— 单独 脉冲 (t
p
≤
10
µ
s)
我
d
我
d
我
dm
23
15
81
adc
Apk
合计 电源 耗散 @ 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
90
0.60
瓦特
w/
°
c
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
– 55 至 175
°
c
单独 脉冲 drain–to–source 雪崩 能源 — 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 25 vdc, v
gs
= 10 vdc, 峰值 我
l
= 23 apk, l = 3.0 mh, 右
g
= 25
Ω
)
e?
作为
794 mJ
热 电阻 — 接合点 至 案例
热 电阻— 接合点 至 环境
右
θ
jc
右
θ
ja
1.67
62.5
°
c/w
最大值 铅 t温度 用于 焊接 目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒 t
l
260
°
c
设计师’s 数据 用于 “w奥斯特 case” 条件
— 这 设计师’s 数据 工作表 许可证 这 设计 的 大多数 电路 完全 从 这 信息 已提交. soa 限制
曲线 — 代表边界 开启 设备 特性 — 是 给定 至 促进 “worst case” 设计.
e–fet, 设计师’s 和 tmos v 是 商标 的 摩托罗拉, 公司 tmos 是 一个 已注册 商标 的 摩托罗拉, 公司
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
rev 1
订单 这个 文件
由 mtp23p06v/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
tmos 电源 场效应晶体管
23 安培
60 伏特
右
ds(开启)
= 0.120 欧姆
摩托罗拉 首选 设备
d
s
g
案例 221a–06, 风格 5
TO–220AB
tm
MTP23P06V
摩托罗拉, 公司 1996
: 点此下载
