1
摩托罗拉 tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计师's
数据 工作表
TMOS e?-场效应晶体管.
高 能源 电源 场效应晶体管
n–channel enhancement–mode 硅 闸门
这个 高级 高 电压 tmos e–fet 是 设计 至
承受 高 能源 入点 这 雪崩 模式 和 开关 高效.
这个 新建 高 能源 设备 也 优惠 一个 drain–to–source 二极管
与 快 回收 时间. 设计 用于 高 电压, 高 速度
开关 应用程序 这样的 作为 电源 供应品, pwm 电机
控件 和 其他 归纳 荷载, 这 雪崩 能源 能力
是 指定 至 消除 这 guesswork 入点 设计 在哪里 归纳
荷载 是 已切换 和 报价 附加 安全 边距 反对
意外 电压 瞬变.
•
雪崩 能源 能力 指定 在 高架
温度
•
低 已存储 闸门 费用 用于 高效 开关
•
内部 source–to–drain 二极管 设计 至 更换 外部
齐纳 瞬态 抑制器 — 吸收 高 能源 入点 这
雪崩 模式
•
source–to–drain 二极管 回收 时间 可比 至 离散
快 回收 二极管
最大值 额定值
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级 符号 值 单位
drain–source 电压 v
DSS
600 Vdc
drain–gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
Ω
) v
DGR
600 Vdc
gate–source 电压 — 连续
gate–source 电压— non–repetitive
v
gs
v
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
排水管 电流 — 连续
排水管 电流— 连续 @ 100
°
c
排水管 电流— 脉冲
我
d
我
d
我
dm
3.0
2.4
14
adc
合计 电源 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
75
0.6
瓦特
w/
°
c
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
– 55 至 150
°
c
松开 drain–to–source 雪崩 特性
(t
j
&指示灯; 150
°
c)
单独 脉冲 drain–to–source 雪崩 能源 — t
j
= 25
°
c
单独 脉冲 drain–to–source 雪崩 能源— t
j
= 100
°
c
重复性 脉冲 drain–to–source 雪崩 能源
w
dsr(1)
w
dsr(2)
290
46
7.5
mJ
热 特性
热 电阻 — 接合点 至 案例
°
热 电阻— 接合点 至 环境
°
右
θ
jc
右
θ
ja
1.67
62.5
°
c/w
最大值 铅 温度 用于 焊接 目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒 t
l
260
°
c
(1) v
dd
= 50 v, 我
d
= 3.0 一个
(2) 脉冲 宽度 和 频率 是 有限 由 t
j
(最大值) 和 热 响应
设计师’s 数据 用于 “worst case” 条件
— 这 设计师’s 数据 工作表 许可证 这 设计 的 大多数 电路 完全 从 这 信息 已提交. soa 限制
曲线 — 代表 边界 开启 设备 特性 — 是 给定 至 促进 “worst case” 设计.
e–fet 和 设计师’s 是 商标 的 摩托罗拉, 公司 tmos 是 一个 已注册 商标 的 摩托罗拉, 公司
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
rev 2
订单 这个 文件
由 mtp3n60e/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MTP3N60E
tmos 电源 场效应晶体管
3.0 安培
600 伏特
右
ds(开启)
= 2.2 欧姆
d
s
g
案例 221a–09, 风格 5
至-220ab
摩托罗拉 首选 设备
摩托罗拉, 公司 1997
: 点此下载
