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摩托罗拉 tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计师's
数据 工作表
TMOS e?-场效应晶体管.
电源 字段 效果 晶体管
n–channel enhancement–mode 硅 闸门
这个 高 电压 场效应晶体管 用途 一个 高级 终止
方案 至 提供 增强型 voltage–blocking 能力 无
有辱人格 业绩 结束 时间. 入点 加法, 这个 高级 tmos
e–fet 是 设计 至 承受 高 能源 入点 这 雪崩 和
换向 模式. 这 新建 能源 高效 设计 也 优惠 一个
drain–to–source 二极管 与 一个 快 回收 时间. 设计 用于 高
电压, 高 速度 开关 应用程序 入点 电源 供应品,
转换器 和 pwm 电机 控件, 这些 设备 是 特别是
井 适合 用于 桥梁 电路 在哪里 二极管 速度 和 换向
安全 操作 区域 是 关键 和 报价 附加 安全 边距
反对 意外 电压 瞬变.
•
坚固耐用 高 电压 终止
•
雪崩 能源 指定
•
source–to–drain 二极管 回收 时间 可比 至 一个
离散 快 回收 二极管
•
二极管 是 表征 用于 使用 入点 桥梁 电路
•
我
DSS
和 v
ds(开启)
指定 在 高架 温度
最大值 额定值
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级 符号 值 单位
drain–source 电压 v
DSS
800 Vdc
drain–gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
Ω
) v
DGR
800 Vdc
gate–source 电压 — 连续
gate–source 电压— non–repetitive (t
p
≤
10 ms)
v
gs
v
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
排水管 电流 — 连续
排水管 电流— 连续 @ 100
°
c
排水管 电流— 单独 脉冲 (t
p
≤
10
µ
s)
我
d
我
d
我
dm
4.0
2.9
12
adc
Apk
合计 电源 耗散
降额 以上 25
°
c
p
d
125
1.0
瓦特
w/
°
c
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
– 55 至 150
°
c
单独 脉冲 drain–to–source 雪崩 能源 — 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 100 vdc, v
gs
= 10 vdc, 我
l
= 8.0 apk, l = 10 mh, 右
g
= 25
Ω
)
e?
作为
320 mJ
热 电阻 — 接合点 至 案例
热 电阻— 接合点 至 环境
右
θ
jc
右
θ
ja
1.0
62.5
°
c/w
最大值 铅 温度 用于 焊接 目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒 t
l
260
°
c
设计师’s 数据 用于 “worst case” 条件
— 这 设计师’s 数据 工作表 许可证 这 设计 的 大多数 电路 完全 从 这 信息 已提交. soa 限制
曲线 — 代表 边界 开启 设备 特性 — 是 给定 至 促进 “worst case” 设计.
e–fet 和 设计师’s 是 商标 的 摩托罗拉, 公司 tmos 是 一个 已注册 商标 的 摩托罗拉, 公司
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
rev 5
订单 这个 文件
由 mtp4n80e/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
摩托罗拉, 公司 1996
MTP4N80E
tmos 电源 场效应晶体管
4.0 安培
800 伏特
右
ds(开启)
= 3.0 欧姆
摩托罗拉 首选 设备
d
s
g
案例 221a–06, 风格 5
TO–220AB
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