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摩托罗拉 tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计师's
数据 工作表
HDTMOS e?-场效应晶体管
高 密度 电源 场效应晶体管
n–channel enhancement–mode 硅 闸门
这个高级 high–cell 密度 hdtmos
E–FET是 设计至
承受高 能源 入点 这 雪崩 和 换向模式.
这个newe?nergy e?fficient design 一个lso offers 一个 drain–to–source
二极管w它h 一个 f一个st 右e?cove?右y t我me?. des我gne?d fo右 low–v旧,
高速开关 应用程序 入点 电源 供应品, 转换器
一个d pwm moto右 controls, 一个nd 我nductive? loads.t他一个valanche
能源能力 是 指定 至 消除 这guesswork 入点 设计
在哪里归纳 荷载 是 已切换, 和 至 的fer 附加安全
边距 反对 意外 电压 瞬变.
•
超 低 右
ds(开启)
, high–cell 密度, hdtmos
•
二极管 是 表征 用于 使用 入点 桥梁 电路
•
我
DSS
和 v
ds(开启)
指定 在 高架 温度
•
雪崩 能源 指定
最大值 额定值
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级 符号 值 单位
drain–source 电压 v
DSS
60 Vdc
drain–gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
Ω
) v
DGR
60 Vdc
gate–source 电压 — 连续
gate–source 电压— 单独 脉冲
v
gs
±
20
±
30
Vdc
Vpk
排水管 电流 — 连续
排水管 电流— 连续 @ 100
°
c
排水管 电流— 单独 脉冲 (t
p
≤
10
µ
s)
我
d
我
d
我
dm
75
50
225
adc
Apk
合计 电源 耗散
降额 以上 25
°
c
p
d
150
1.0
瓦特
w/
°
c
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
– 55 至 175
°
c
单独 脉冲 drain–to–source 雪崩 能源 — 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 25 vdc, v
gs
= 10 vdc, 我
l
= 75 apk, l = 0.177 mh, 右
g
= 25
Ω
)
e?
作为
500 mJ
热 电阻 — 接合点 至 案例
热 电阻— 接合点 至 环境
右
θ
jc
右
θ
ja
1.0
62.5
°
c/w
最大值 铅 t温度 用于 焊接 目的, 1/8
″
从 案例 用于 10 秒 t
l
260
°
c
设计师’s 数据 用于 “w奥斯特 case” 条件
— 这 设计师’s 数据 工作表 许可证 这 设计 的 大多数 电路 完全 从 这 信息 已提交. soa 限制
曲线 — 代表边界 开启 设备 特性 — 是 给定 至 促进 “worst case” 设计.
e–fet, 设计师’s 和 hdtmos 是 商标 的 摩托罗拉, 公司
tmos 是 一个 已注册 商标 的 摩托罗拉, 公司
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
rev 1
订单 这个 文件
由 mtp75n06hd/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
摩托罗拉, 公司 1995
MTP75N06HD
tmos 电源 场效应晶体管
75 安培
右
ds(开启)
= 10.0 mohm
60 伏特
摩托罗拉 首选 设备
d
s
g
案例 221a–06, 风格 5
TO–220AB
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