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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
NPN 硅 Planar
外延的 晶体管
这个npn 硅 外延的 晶体管 是 设计 为 使用 在 直线的 和 切换
产品.这 设备 是 housed 在 这 sot-223 包装 这个 是 设计 为
中等 电源 表面 挂载 产品.
•
pnp complement 是 pzt2907at1
•
这 sot-223 包装 能 是 焊接 使用 波 或者 软熔焊接.
•
sot-223 包装 确保 水平的 挂载, 结果 在 改进 热的
传导, 和 准许 visual inspection 的 焊接 joints. 这 formed
leads absorb 热的 压力 在 焊接, eliminating 这 possibility 的
损坏 至 这 消逝.
•
有 在 12 mm 录音带 和 卷轴
使用 pzt2222at1 至 顺序 这 7 inch/1000 单位 卷轴.
使用 pzt2222at3 至 顺序 这 13 inch/4000 单位 卷轴.
最大 比率
比率 标识 值 单位
集电级-发射级 电压 V
CEO
40 Vdc
集电级-根基 电压 V
CBO
75 Vdc
发射级-根基 电压 (打开 集电级) V
EBO
6.0 Vdc
集电级 电流 I
C
600 mAdc
总的 电源 消耗 向上 至 t
一个
= 25
°
C
(1)
P
D
1.5 Watts
存储 温度 范围
°
T
stg
– 65 至 +150
°
C
接合面 温度
°
T
J
150
°
C
热的 特性
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 R
θ
JA
83.3
°
c/w
含铅的 temperature 为 焊接, 0.0625
″
从 情况
时间 在 焊盘 bath
T
L
260
10
°
C
秒
设备 标记
P1F
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 损坏 电压 (i
C
= 10 madc, i
B
= 0) V
(br)ceo
40 — Vdc
集电级-根基 损坏 电压 (i
C
= 10
µ
模数转换器, i
E
= 0) V
(br)cbo
°
75
° °
—
°
Vdc
发射级-根基 损坏 电压 (i
E
= 10
µ
模数转换器, i
C
= 0) V
(br)ebo
6.0 — Vdc
根基-发射级 截止 电流 (v
CE
= 60 vdc, v
是
= – 3.0 vdc) I
BEX
— 20 nAdc
集电级-发射级 截止 电流 (v
CE
= 60 vdc, v
是
= – 3.0 vdc) I
CEX
— 10 nAdc
发射级-根基 截止 电流 (v
EB
= 3.0 vdc, i
C
= 0) I
EBO
— 100 nAdc
1. 设备 挂载 在 一个 环氧的 打印 电路 板 1.575 inches x 1.575 inches x 0.059 英寸; 挂载 垫子 为 这 集电级 含铅的 最小值 0.93 英寸
2
.
热的clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 pzt2222at1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1996
根基
1
集电级
2, 4
3
发射级
PZT2222AT1
sot-223 包装
npn 硅
晶体管
表面 挂载
motorola preferred 设备
情况 318e-04, 样式 1
至-261aa
1
2
3
4
rev 2
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