mitsubishi lsis
1048576-有点(65536-字 由 16-有点)cmos 静态 ram
MITSUBISHI
电动
m5m51016btp,rt-70l,-10l,
-70ll,-10ll
9 jul ,1997
mitsubishi lsis
1048576-有点(65536-字 由 16-有点)cmos 静态 ram
m5m51016btp,rt-70l,-10l,
-70ll,-10ll
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nc
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cs
(0v)地
oe
nc
DQ
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DQ
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DQ
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DQ
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DQ
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地址
输入
芯片 选择
输入
输出 启用
输入
数据
输入/
产出
bc
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nc
bc
2
一个
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一个
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一个
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w
一个
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一个
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地(0v)
nc
v
抄送
(5v)
DQ
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DQ
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DQ
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DQ
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DQ
10
DQ
9
字节
控制
输入
地址
输入
写
控制
输入
地址
输入
数据
输入/
产出
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地(0v)
oe
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(5v)v
抄送
数据
输入/
产出
地址
输入
地址
输入
字节
控制
输入
写
控制
输入
地址
输入
芯片 选择
输入
输出 启用
输入
数据
输入/
产出
大纲 44p3w - h (400mil tsop 正常 弯管)
管脚 配置 (顶部 查看)
nc : 否 连接
描述
这 m5m51016btp, rt 是 一个 1048576-有点 cmos 静态 ram
有组织的 作为 65536 字 由 16-有点 哪个 是 预制 使用 高-
业绩 三倍 多晶硅 cmos 技术. 这 使用 的
电阻 荷载 nmos 细胞 和 cmos 外围 结果 入点 一个 高
密度 和 低 电源 静态 ram.
他们 是 低 备用 电流 和 低 操作 电流 和 理想
用于 这 蓄电池 备份 应用程序.
这 m5m51016btp,rt 是 已打包 入点 一个 44-管脚 薄 小
大纲 包装 哪个 是 一个 高 可靠性 和 高 密度 表面
安装 设备 (smd). 两个 类型 的 设备 是 可用. m5m510
16btp(正常 铅 弯管 类型 包装), m5m51016brt (反向
铅 弯管 类型 包装). 使用 两者都有 类型 的 设备, 它 成为
很 容易 至 设计 一个 已打印 电路 板.
特点
m5m51016btp,rt-70ll
单独 +5.0v 电源 供应
低 备用 电流 0.3
µ
一个 (典型值.)
直接 ttl 兼容 : 全部 输入 和 产出
容易 记忆 扩展 和 电源 向下 由 cs, bc
1
&放大器; bc
2
数据 保持 开启 +2v 电源 供应
三态 产出 : 或-领带 能力
oe 防止 数据 争用 入点 这 我/o 总线
普通 数据 我/o
包装
m5m51016btp,rt
应用程序
小 容量 记忆 单位
m5m51016btp,rt-70l
类型 姓名
访问权限 时间
(最大值)
活动
(最大值)
备用
(最大值)
100
µ
一个
(v
抄送
= 5.5v)
20
µ
一个
(v
抄送
= 5.5v)
0.3
µ
一个
(v
抄送
= 3.0v,
典型值)
30mA
(1mhz)
电源 供应 电流
100ns
70ns
44pin 400mil tsop(二)
..............................
M5M51016BTP
M5M51016BRT
1
大纲 44p3w - j (400mil tsop 反向 弯管)
9 jul ,1997
100ns
m5m51016btp,rt-10l
m5m51016btp,rt-10ll
70ns
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