sn54lv540a, sn74lv540a
octal 缓存区/驱动器
和 3-状态 输出
scls409c – april 1998 – 修订 将 2000
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邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
EPIC
(增强-效能 implanted
cmos) 处理
D
典型 v
OLP
(输出 地面 bounce)
<0.8 v 在 v
CC
= 3.3 v, t
一个
= 25
°
C
D
典型 v
OHV
(输出 v
OH
undershoot)
>2.3 v 在 v
CC
= 3.3 v, t
一个
= 25
°
C
D
2-v 至 5.5-v v
CC
运作
D
支持 mixed-模式 电压 运作 在
所有 端口
D
获得-向上 效能 超过 250 毫安 每
jesd 17
D
静电释放 保护 超过 2000 v 每
mil-标准-883, 方法 3015; 超过 200 v
使用 机器 模型 (c = 200 pf, r = 0)
D
包装 选项 包含 塑料
小-外形 (dw, ns), shrink
小-外形 (db), 薄的 非常 小-外形
(dgv), 和 薄的 shrink 小-外形 (pw)
包装, 陶瓷的 flat (w) 包装, 碎片
carriers (fk), 和 dips (j)
描述
这 ’lv540a 设备 是 octal 缓存区/驱动器
设计 为 2-v 至 5.5-v v
CC
运作.
这些 设备 是 完美的 为 驱动 总线 线条 或者
缓存区 记忆 地址 寄存器. 它们 特性
输入 和 输出 在 opposite sides 的 这
包装 至 facilitate 打印 电路 板 布局.
这 3-状态 控制 门 是 一个 二-输入 和 门 和 起作用的-低 输入 所以 那 如果 也 输出-使能 (oe1或者
OE2) 输入 是 高, 所有 相应的 输出 是 在 这 高-阻抗 状态. 这 输出 提供 inverted 数据
当 它们 是 不 在 这 高-阻抗 状态.
至 确保 这 高-阻抗 状态 在 电源 向上 或者 电源 向下, oe应当 是 系 至 v
CC
通过 一个 pullup
电阻; 这 最小 值 的 这 电阻 是 决定 用 这 电流-sinking 能力 的 这 驱动器.
这 sn54lv540a 是 典型 为 运作 在 这 全部 军队 温度 范围 的 –55
°
c 至 125
°
c.
这 sn74lv540a 是 典型 为 运作 从 –40
°
c 至 85
°
c.
函数 表格
(各自 缓存区/驱动器)
输入
输出
OE1 OE2 一个
Y
L L L H
L LH L
H XX Z
X H X Z
版权
2000, 德州 器械 组成公司的
除非 否则 指出 这个 文档 包含 生产
数据 信息 电流 作 的 发行 日期. 产品 遵从 至
规格 每 这 条款 的 德州 器械 标准 保用单.
生产 处理 做 不 必然地 包含 测试 的 所有
参数.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
epic 是 一个 商标 的 德州 器械.
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地
V
CC
OE2
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
SN54LV540A ...j 或者 w pACKAGE
SN74LV540A . . . db, dgv, dw, ns, 或者 pw 包装
(顶 视图)
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SN54LV540A . . . fk 包装
(顶 视图)
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Y6 OE2
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地
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CC
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