TPIC1301
3-一半 h-桥梁 闸门-保护
电源 dmos 阵列
slis037 – 十一月 1994
版权
1994, 德州 仪器仪表 股份公司
2–1
post 办公室 框 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
•
低 右
ds(开启)
. . . 0.23
Ω
Typ
•
高 电压 输出t...60 v
•
扩展 esd 能力y...4000 v
•
脉冲 current...11.25 一个 按 频道
•
快 换向 速度
描述
这 tpic1301 是 一个 单片 闸门-保护
电源 dmos 阵列 那 由 的 六个 电气
隔离 n通道 增强模式 dmos
晶体管 已配置 作为 三个 一半 h-桥梁.
每个 晶体管 特点 综合 高电流
齐纳 二极管 (z
CXa
和
z
CXb
) 至 防止 闸门
损伤 入点 这 事件 那 一个 过应力 条件
发生. 这些 齐纳 二极管 也 提供 向上 至 4000 v 的 esd 保护 当 已测试 使用 这 人体
型号 的 一个 100-pf 电容器 入点 系列 与 一个 1.5-k
Ω
电阻.
这 tpic1301 是 提供 入点 一个 24-管脚 宽-车身 表面贴装 (dw) 包装 和 是 表征 用于 操作
结束 这 案例 温度 范围 的 –40
°
c 至 125
°
c.
原理图
D1
DRAIN3
D3
Z1 Z3
Z4
Z6
地
GATE3
GATE6
OUTPUT3
DRAIN1
GATE1
OUTPUT1
GATE4
Q1
Q4
Q6
Q3
D2
Z2
Z5
Q2
Q5
SOURCE6
SOURCE4
OUTPUT2
GATE5 GATE2 DRAIN2
14, 15
21, 22
23
1, 24
2
3, 4
13
11, 12
10
8, 9
5, 6
19, 2016
17, 18
7
D4 D5
备注: 用于 正确 操作, 否 终端 管脚 将 是 已拍摄 下面 地.
z
C1b
z
C1a
z
C4b
z
C4a
z
C2b
z
C2a
z
C5b
z
C5a
z
C3b
z
C3a
z
C6b
z
C6a
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
OUTPUT1
GATE4
SOURCE4
SOURCE4
地
地
GATE5
SOURCE6
SOURCE6
GATE6
OUTPUT3
OUTPUT3
OUTPUT1
GATE1
DRAIN1
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN2
OUTPUT2
OUTPUT2
GATE2
DRAIN3
DRAIN3
GATE3
dw 包装
(顶部 查看)
生产 数据 信息 是 电流 作为 的 出版物 日期.
产品 符合 至 规格 按 这 条款 的 德州 仪器仪表
标准 保修. 生产 加工 是否 不 必然 包括
测试 的 全部 参数.
: 点此下载
