TPIC5303
3-频道 独立 闸门-保护
电源 dmos 阵列
slis039a – 九月 1994 – 修订 九月 1995
版权
1995, 德州 仪器仪表 股份公司
1
post 办公室 框 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
•
低 右
ds(开启)
. . . 0.4
Ω
Typ
•
高 电压 输出t...60 v
•
扩展 esd 能力y...4000 v
•
脉冲 current...5 一个按 频道
•
快 换向 速度
描述
这 tpic5303 是 一个 单片 闸门-保护
电源 dmos 阵列 那 由 的 三个
独立 电气 隔离 n通道
增强模式 dmos 晶体管. 每个
晶体管 特点 综合 高电流 齐纳
二极管 (z
CXa
和 z
CXb
) 至 防止 闸门 损伤 入点 这 事件 那 一个 过应力 条件 发生. 这些 齐纳
二极管 也 提供 向上 至 4000 v 的 esd 保护 当 已测试 使用 这 人体 型号 的 一个 100-pf
电容器 入点 系列 与 一个 1.5-k
Ω
电阻.
这 tpic5303 是 提供 入点 一个 标准 16-管脚 小轮廓 表面贴装 (d) 包装 和 是 表征 用于
操作 结束 这 案例 温度 范围 的 –40
°
c 至 125
°
c.
原理图
GATE1
DRAIN1
95
Q1 Q2 Q3
6, 71, 212, 13
Z1 Z2
Z3
SOURCE2
DRAIN2 DRAIN3GATE2 GATE3
D1
D2
D3
SOURCE1
14, 15
16
地
8 3, 4 10, 11
SOURCE3
z
C2b
z
C2a
z
C1b
z
C1a
z
C3b
z
C3a
备注 一个: 用于 正确 操作, 否 终端 管脚 将 是 已拍摄 下面 地.
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
DRAIN2
DRAIN2
SOURCE2
SOURCE2
GATE2
DRAIN3
DRAIN3
地
GATE1
SOURCE1
SOURCE1
DRAIN1
DRAIN1
SOURCE3
SOURCE3
GATE3
d 包装
(顶部 查看)
生产 数据 信息 是 电流 作为 的 出版物 日期.
产品 符合 至 规格 按 这 条款 的 德州 仪器仪表
标准 保修. 生产 加工 是否 不 必然 包括
测试 的 全部 参数.
: 点此下载
