TPIC5423L
4-频道 独立 闸门-保护 逻辑电平
电源 dmos 阵列
slis045 – 十一月 1994
版权
1994, 德州 仪器仪表 股份公司
2–1
post 办公室 框 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
•
低 右
ds(开启)
. . . 0.32
Ω
Typ
•
电压 输出t...60 v
•
输入 保护 电路y...18 v
•
脉冲 current...4 一个按 频道
•
扩展 esd 能力y...4000 v
•
直接 逻辑电平 接口
描述
这 tpic5423l 是 一个 单片 闸门-保护
逻辑电平 电源 dmos 阵列 那 由 的 四
电气 隔离 独立 n通道
增强模式 dmos 晶体管. 每个
晶体管 特点 综合 高电流 齐纳
二极管 (z
CXa
和 z
CXb
) 至 防止 闸门 损伤
入点 这 事件 那 一个 过应力 条件 发生.
这些 齐纳 二极管 也 提供 向上 至 4000 v 的
esd 保护 当 已测试 使用 这 人类-
车身 型号 的 一个 100-pf 电容器 入点 系列 与 一个
1.5-k
Ω
电阻.
这 tpic5423l 是 提供 入点 一个 24-管脚 宽-车身 表面贴装 (dw) 包装 和 是 表征 用于
操作 结束 这 案例 温度 的 –40
°
c 至 125
°
c.
原理图
D1
DRAIN3
D3
Z1
Z3
Z2 Z4
地
GATE3
DRAIN4
GATE4
SOURCE3
DRAIN1
GATE1
SOURCE1
DRAIN2
GATE2
Q1
Q2
Q4
Q3
D2 D4
1, 2
3
5, 6
11, 12
10
7, 8
23, 24
22
19, 20
13, 14
15
17, 18
SOURCE2
SOURCE4
4, 9, 16, 21
z
C2b
z
C2a
z
C1b
z
C1a
z
C3b
z
C3a
z
C4b
z
C4a
备注 一个: 用于 正确 操作, 否 终端 将 是 已拍摄 下面 地.
1
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16
15
14
13
DRAIN1
DRAIN1
GATE1
地
SOURCE1
SOURCE1
SOURCE2
SOURCE2
地
GATE2
DRAIN2
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN3
GATE3
地
SOURCE3
SOURCE3
SOURCE4
SOURCE4
地
GATE4
DRAIN4
DRAIN4
dw 包装
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