tps1110, tps1110y
单独 p沟道 逻辑电平 mosfets
slvs100b – october 1994 – 修订 january 1998
1
post 办公室 框 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
d
低 右
ds(开启)
. . . 65 m
Ω
典型值 在 v
gs
= –4.5 v
d
高 电流 能力
6 一个 在 v
gs
= –4.5 v
d
逻辑电平 闸门 驱动器 (3 v 兼容)
v
gs(th)
= –0.9 v 最大值
d
低 漏源 泄漏 电流
&指示灯;100 不适用 从 25
°
c 至 75
°
c
在 v
ds
= –6 v
d
快 开关g...5.8 ns 典型值 t
d(开启)
d
小轮廓 表面贴装 电源
包装
描述
这 tps1110 是 一个 单独, 低-右
ds(开启)
, p沟道 增强模式 电源 mos 晶体管. 这 设备
特点 极其 低-右
ds(开启)
数值 耦合 与 逻辑电平 栅极驱动 能力 和 很 低 漏源
泄漏 电流. 与 一个 最大值 v
gs(th)
的 –0.9 v 和 一个 我
DSS
的 仅 –100 不适用, 这 tps1110 是 这 理想
高侧 开关 用于 低-电压, 便携式 蓄电池-管理 电源-分布 系统 在哪里 最大化
蓄电池 生活 是 一个 重要 关注. 这 热 业绩 的 这 8-管脚 小轮廓 (d) 包装 有 被
很大 增强型 结束 这 标准 8-管脚 soic, 进一步 制作 这 tps1110 理想情况下 适合 用于 许多 电源
应用程序. 用于 兼容性 与 现有 设计, 这 tps1110 有 一个 引出线 普通 与 其他 p沟道
mosfets 入点 小轮廓 综合 电路 (soic) 软件包. 这 tps1110 是 表征 用于 一个 操作
接合点 温度 范围, t
j
, 从 –40
°
c 至 150
°
c. 这 d 包装 是 可用 已打包 入点 标准 sleeves
或 入点 录音 和 卷线 格式. 当 订购 这 磁带和卷轴 格式, 添加 一个 右 后缀 至 这 设备 类型
号码 (e?.g., tps1110dr).
可用 选项
已打包 设备
†
芯片 窗体
t
j
小 大纲
(d)
芯片 窗体
(y)
–40
°
c 至 150
°
c TPS1110D TPS1110Y
†
这 d 包装 是 可用 录音 和 卷线. 添加 一个 右 后缀 至 设备
类型 (e?.g., tps1110dr). 这 芯片 窗体 是 已测试 在 25
°
c.
原理图
闸门
来源
排水管
123
5678
4
版权
1998, 德州 仪器仪表 股份公司
生产 数据 信息 是 电流 作为 的 出版物 日期.
产品 符合 至 规格 按 这 条款 的 德州 仪器仪表
标准 保修. 生产 加工 是否 不 必然 包括
测试 的 全部 参数.
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来源
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闸门
排水管
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排水管
排水管
d 包装
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