2001 infineon 技术 corp. • optoelectronics 事业部 • san jose, ca
www.infineon.com/opto • 1-888-infineon (1-888-463-4636)
2–166 march 17, 2000-12
特点
• 高 输入 灵敏度
我
英尺
=1.3 ma
• 600/700/800 v 阻塞 电压
• 300 ma 开启状态 电流
• 高 静态 设计验证/dt 10,000 v/
µ
秒., 典型
• 逆 平行 scrs 提供 换向
设计验证/dt >10 kv/
µ
秒
• 很 低 泄漏 &指示灯;10
µ
一个
• 隔离 测试一下 电压 从 双 模制
包装 5300 v
rms
• 包装, 6-管脚 倾角
• underwriters 实验室 文件 #e52744
• vde 批准 #0884 可用 与 选项 1
描述
这 il421x 由 的 一个 algaas irled 光学
耦合 至 一个 对 的 photosensitive 非零 穿越
scr 芯片 和 是 已连接 倒转 平行 至
窗体 一个 三端双向可控硅开关. 这些 三个 半导体 是
已装配 入点 一个 六个 管脚 0.3 英寸 双 在线 包装,
使用 高 绝缘 双 模制, 结束/下
引线框架 施工.
高 输入 灵敏度 是 已实现 由 使用 一个 发射器
跟随者 光电晶体管 和 一个 级联 scr 预-
驾驶员 结果 入点 一个 led指示灯 触发器 电流 的 较少 比
1.3 ma (直流).
这 il421x 用途 两个 离散 scrs 结果 入点 一个
换向 设计验证/dt 的 更大 比 10 kv/
µ
s. 这 使用
的 一个 专有
设计验证/dt
卡箍 结果 入点 一个 静态 设计验证/dt 的
更大 比 10 kv/
µ
s. 这个 卡箍 电路 有 一个 mos-
场效应晶体管 那 是 增强型 当 高 设计验证/dt 尖峰 发生
之间 mt1 和 mt2 的 这 三端双向可控硅开关. 这 场效应晶体管 卡箍
这 底座 的 这 光电晶体管 当 传导, dis-
abling 这 内部 scr 前置驱动器.
这 阻塞 电压 的 向上 至 800 v 许可证 控制 的
离线 电压 向上 至 240 vac, 与 一个 安全 因素 的
更多 比 两个, 和 是 sufficient 用于 作为 很多 作为 380
vac. 电流 搬运 能力 是 向上 至 300 ma
rms, 连续 在 25
°
c.
这 il421x 分离株 低电压 逻辑 从 120, 240,
和 380 vac 线条 至 控制 电阻 归纳, 或
电容式 荷载 包括 电机 solenoids, 高
电流 thyristors 或 三端双向可控硅开关 和 继电器.
应用程序 包括 固态 继电器, 工业 con-
trols, office 设备, 和 消费者 电器.
v
de
最大值 额定值
发射器
反向 电压 .................................................................................6.0 v
前进 电流............................................................................... 60 ma
浪涌 电流 .................................................................................... 2.5 一个
电源 耗散..........................................................................100 mw
降额 线性 从 25
°
c .......................................................1.33 mw/
°
c
热 电阻.....................................................................750
°
c/w
检测器
峰值 关闭状态 电压
IL4216 .............................................................................................600 v
IL4217 .............................................................................................700 v
IL4218 .............................................................................................800 v
rms 开启状态 电流................................................................... 300 ma
单独 循环 浪涌............................................................................ 3.0 一个
合计 电源 耗散 .................................................................500 mw
降额 线性 从 25
°
c .........................................................6.6 mw/
°
c
热 电阻......................................................................150
°
c/w
包装
铅 焊接 温度 ..............................................260
°
c/5.0 秒.
爬电距离 距离 ......................................................................
≥
7.0 mm
净空 .....................................................................................
≥
7.0 mm
存储 温度.......................................................–55
°
c 至 +150
°
c
操作 温度 ...................................................–55
°
c 至 +100
°
c
隔离 测试一下 电压................................................................ 5300 v
rms
隔离 电阻
v
io
=500 v,
t
一个
=25
°
c ...................................................................
≥
10
12
Ω
v
io
=500 v,
t
一个
=100
°
c .................................................................
≥
10
11
Ω
.010 (.25)
典型值
.114 (2.90)
.130 (3.0)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.031 (0.80) 最小值
.300 (7.62)
典型值
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 (2.54) 典型值
.039
(1.00)
最小值
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.048 (0.45)
.022 (0.55)
.248 (6.30)
.256 (6.50)
.335 (8.50)
.343 (8.70)
管脚 一个 id
6
5
4
12
3
18
°
3
°
–
9
°
.300
–
.347
(7.62
–
8.81)
4
°
典型值
1
2
3
6
5
4
三端双向可控硅开关
MT2
基材
做 不
连接
三端双向可控硅开关
MT1
led指示灯
阳极
led指示灯
阴极
nc
尺寸 入点 英寸 (mm)
600 v
IL4216
700 v
IL4217
800 v
IL4218
三端双向可控硅开关 光耦合器
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