HM621100A Series_集成电路资料查询网

hm621100a 系列
1048576-字
×
1-有点 高 速度 cmos 静态 ram
描述
这 hitachi hm621100a 是 一个 高 速度 1m 静态 ram 有组织的 作为 1048576-字
×
1-有点.  它 实现
高 速度 访问权限 时间 (20/25/35 ns) 和 低 电源 消费, 雇用 cmos 流程 技术 和
高 速度 电路 设计 技术.  它 是 大多数 有利的 用于 这 字段 在哪里 高 速度 和 高
密度 记忆 是 必填项, 这样的 作为 这 高速缓存 记忆 用于 主 框架 或 32-有点 mpu.  这 hm621100a,
已打包 入点 一个 400-密耳 塑料 soj 是 可用 用于 高 密度 安装.
特点
•
单独 5 v 供应 和 高 密度 28-管脚 包装 (倾角 和 soj)
•
高 速度
访问权限 时间: 20/25/35 ns (最大值)
•
低 电源 耗散
活动 模式: 350 mw (典型值)
备用 模式: 100
µ
w (典型值)
•
完全 静态 记忆 必填项
否 时钟 或 计时 频闪 必填项
•
相等 访问权限 和 循环 时间
•
直接 ttl 兼容
全部 输入 和 产出

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

hm621100a 系列 1048576-字 × 1-有点高速度 cmos 静态 ram 描述这 hitachi hm621100a 是一个高速度 1m 静态 ram 有组织的作为 1048576-字 × 1-有点. 它实现高速度访问权限时间 (20/25/35 ns) 和低电源消费, 雇用 cmos 流程技术和高速度电路设计技术. 它是大多数有利的用于这字段在哪里高速度和高密度记忆是必填项, 这样的作为这高速缓存记忆用于主框架或 32-有点 mpu. 这 hm621100a, 已打包入点一个 400-密耳塑料 soj 是可用用于高密度安装. 特点 • 单独 5 v 供应和高密度 28-管脚包装 (倾角和 soj) • 高速度访问权限时间: 20/25/35 ns (最大值) • 低电源耗散活动模式: 350 mw (典型值) 备用模式: 100 µ w (典型值) • 完全静态记忆必填项否时钟或计时频闪必填项 • 相等访问权限和循环时间 • 直接 ttl 兼容全部输入和产出

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com