典型 连接
特性
•
floating 频道 设计 为 自举 运作
•
全部地 运算的 至 +600v
•
tolerant 至 负的 瞬时 电压
dv/dt 不受影响
•
门 驱动 供应 范围 从 10 至 20v
•
欠压 lockout 为 两个都 途径
•
独立的 逻辑 供应 范围 从 5 至 20v
•
逻辑 和 电源 地面 ±5v 补偿
•
cmos 施密特-triggered 输入 和 拉-向下
•
循环 用 循环 边缘-triggered 关闭 逻辑
•
matched 传播 延迟 为 两个都 途径
•
输出 在 阶段 和 输入
描述
这 ir2112 是 一个 高 电压, 高 速 电源
场效应晶体管 和 igbt 驱动器 和 独立 高 和
低 一侧 关联 输出 途径. 专卖的 hvic
和 获得 不受影响 cmos 科技 使能 rugge-
dized 大而单一的 构建. 逻辑 输入 是 com-
patible 和 标准 cmos 或者 lsttl 输出. 这
输出 驱动器 特性 一个 高 脉冲波 电流 缓存区 平台
设计 为 最小 驱动器 交叉-传导. propa-
gation 延迟 是 matched 至 使简化 使用 在 高 fre-
quency 产品. 这 floating 频道 能 是 使用
至 驱动 一个 n-频道 电源 场效应晶体管 或者 igbt 在 这
高 一侧 配置 这个 运作 向上 至 600 伏特.
包装
数据 薄板 非. pd60026-k
IR2112
高 和 低 一侧 驱动器
产品 summary
V
补偿
600v 最大值
I
O
+/- 200 毫安 / 420 毫安
V
输出
10 - 20v
t
开关
(典型值.) 125 &放大; 105 ns
延迟 相一致 30 ns
HIN
向上 至 600v
至
加载
V
DD
V
B
V
S
HO
LO
COM
HIN
LIN
V
SS
SD
V
CC
LIN
V
DD
SD
V
SS
V
CC
14 含铅的 pdip
w/o 含铅的 4
14 含铅的 pdip
16 含铅的 soic
(宽 身体)
16 含铅的 pdip
w/o leads 4 &放大; 5
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