3.2 v, 3 w, l/s 乐队
中 电源 硅 ld-场效应晶体管
加利福尼亚 东部的 实验室
特点
• 低 成本 塑料 表面 安装 包装
• 高 输出 电源:
+35.5 dbm 典型值
• 高 线性 增益:
16 db 典型值 @ 915 mhz
• 高 电源 已添加 效率:
65% 典型值 @
v
ds
= 3.2 v, f = 915 mhz
• 单独 供应:
2.4 至 7.5 v
• 类 ab 操作
• 表面 安装 包装:
5.7
x
5.7
x
1.1 mm 最大值
•T猿 &放大器; 卷轴 包装 选项 可用
NE5520379A
大纲 尺寸
(单位 入点 mm)
p组件 大纲 79a
备注:
1. 直流 业绩 是 已测试 100%. 几个 样品 按 晶圆 是 已测试 用于 rf 业绩. 晶圆 拒收 标准 用于 标准 设备 是 1
拒绝 用于 几个 样品.
描述
这 ne5520379a 是 一个 n通道 硅 电源 场效应晶体管
特别 设计 作为 这 变速器 电源 放大器 用于
3.2 v gsm900 手持设备. 模具 是 已制造 使用 nec's
newmos 技术 (nec's 0.6
µ
m wsi 闸门 横向
场效应晶体管) 和 已安置 入点 一个 表面 安装 包装. 这个 de-
副 可以 交付 35.5 dbm 输出 电源 在 915 mhz 在 3.2 v
或 34.6 dbm 输出 电源 在 2.8 v 由 变化 这 闸门 电压
作为 一个 电源 控制 功能.
• 数字 细胞 电话:
3.2 v gsm900/dcs 1800 类 4 手持设备
• 模拟 细胞 电话:
2.4 v 安培数 手持设备
• 其他:
3.0 v 双向 寻呼机
retail 业务 收音机
特殊 移动电话 收音机
应用程序
一个
3
来源
闸门
排水管
4.2 最大值
5.7 最大值
4.4 最大值
0.8 – 0.15
0.6 – 0.15
5.7 最大值
0.4 – 0.15
来源
闸门
排水管
1.2 最大值
1.0 最大值
3.6 – 0.2
0.8 最大值
0.9 – 0.2
0.2 – 0.1
1.5 – 0.2
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c)
零件 号码 NE5520379A
包装 大纲 79A
符号 特性 单位 最小 典型值 最大值 测试一下 条件
p
出点
输出 电源 dBm 35.5
g
l
线性 增益
(在 p
入点
= +10 dbm) db 16.0
η
d
排水管 效率 % 68
η
添加
电源 已添加 效率 % 65
我
d
操作 排水管 电流 一个 1.5
p
出点
输出 电源 dBm 31.0 33.0
g
l
线性 增益
(在 p
入点
= +10 dbm) db 8.5
η
d
排水管 效率 % 29 38
η
添加
电源 已添加 效率 % 35
我
GSS
栅极到源极 泄漏 电流 不适用 100 v
GSS
= 5.0 v
我
DSS
漏源 泄漏 电流 不适用 100 v
DSS
= 6.0 v
v
th
闸门 阈值 电压 v 1.0 1.35 2.0 v
ds
= 3.5 v, 我
ds =
1 ma
通用汽车 跨导 s 2.5 v
ds
= 3.5 v, 我
ds1 =
0.8 一个, 我
ds2 =
1.0 一个
右
ds(开启)
漏源 开启 电阻
Ω
0.12 0.15 v
gs
= 6.0 v, v
ds =
0.5 v
BV
DSS
漏源 击穿 电压 v 15 20 我
DSS
= 10
µ
一个
右
th
热 电阻
°
c/w 5 频道-至-案例
功能
特性
电气 直流
特性
f = 915 mhz, v
ds
= 3.2 v,
v
gs
= 2.5 v(rf 关)
p
入点
= 25 dbm
(备注 1)
f = 1785 mhz, v
ds
= 3.2 v,
v
gs
= 2.5 v
p
入点
= 25 dbm
(备注 1)
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