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资料编号:1079914
 
资料名称:HM66WP18512FP-60
 
文件大小: 203226K
   
说明
 
介绍:
SRAM - Datasheet Reference
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
初步: 这 规格 的 这个 设备 是 主题 至 变更 无 通知. 请 联系人 你的
最近的 hitachi’s 销售 dept. 关于 规格.
hm66wp18512/hm66wp36256
9m 流水线 零 总线 延迟 (zbl) sram
(hm66wp18512) 512-kword
×
18-有点
(hm66wp36256) 256-kword
×
36-有点
ade-203-1284d (z)
初步
rev. 0.4
六月. 21, 2002
描述
这 hm66wp18512 是 一个 同步 快 静态 ram 有组织的 作为 512-kword
×
18-有点. 这
hm66wp36256 是 一个 同步 快 静态 ram 有组织的 作为 256-kword
×
速度 访问权限 时间 由 雇用 这 大多数 高级 cmos 流程 和 高 速度 电路 设计
技术. 它 是 大多数 适当的 用于 这 应用程序 哪个 需要 高 速度, 高 密度 记忆 和
宽 有点 宽度 配置, 这样的 作为 高速缓存 和 缓冲区 记忆 入点 系统. 它 是 已打包 入点 标准 100-
管脚 lqfp.
备注: 全部 电源 供应 (v
dd
, v
DDQ
) 和 接地 (v
ss
) 针脚 必须 是 已连接 用于 适当的 操作 的 这
设备.
zbl: 零 总线 延迟 和 兼容 zbt
tm
sram. zbt
tm
是 商标 的 综合 设备
特点
3.3 v 或 2.5v 电源 供应, 3.3 v 或 2.5 v i/o 供应 电压
时钟 频率: 250/166 mhz
快 时钟 访问权限 时间: 2.6/3.5 ns (最大值)
低 操作 电流: 250/200 ma (最大值)
地址 数据 管道 能力
内部 输入 寄存器 (地址, 数据, 控制)
内部 自定时 写 循环
adv/
ld
突发 控制 针脚
内部 已同步 已注册 产出 消除 这 需要 至 控制
oe
个人 字节 写 控制
电源 向下 州 通过 zz
普通 数据 输入 和 数据 产出
高 板 密度 100-管脚 lqfp 包装
突发 控制 已选择 管脚
LBO
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