IRFP32N50KS
12/18/01
www.irf.com 1
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
v
DSS
右
ds(开启)
典型值 我
d
500V 0.135
Ω
32A
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 32
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 20 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
130
p
d
@T
c
= 25
°
c 电源 耗散 460 w
线性 降额 因素 3.7 w/
°
c
v
gs
栅极到源极电压 ± 30 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
13 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 150
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300
(1.6mm 从 案例 )
°
c
安装 扭矩, 6-32 或 m3 螺钉 10lb*in (1.1n*m)
绝对 最大值 额定值
符号 参数 典型值 最大值 单位
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
–––
450 mJ
我
ar
雪崩 电流
–––
32 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
–––
46 mJ
符号 参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体
–––
0.26
右
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面 0.24
––– °
c/w
右
θ
ja
交叉点到环境
–––
40
热 电阻
雪崩 特性
开关 模式 电源 供应 (smps)
不间断 电源 供应
高 速度 电源 开关
硬 已切换 和 高 频率
电路
好处
应用程序
低 闸门 费用 qg 结果 入点 简单
驱动器 要求
改进 闸门, 雪崩 和 动态
设计验证/dt 坚固耐用
完全 表征 电容 和
雪崩 电压 和 电流
低 右
ds(开启)
pd - 94360
smd-247
: 点此下载
