首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1080527
 
资料名称:Am41PDS3224D
 
文件大小: 1036213K
   
说明
 
介绍:
32 Mbit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Page Mode Flash Memory and 4 Mbit 
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号Am41PDS3224D的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号Am41PDS3224D的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号Am41PDS3224D的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号Am41PDS3224D的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号Am41PDS3224D的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号Am41PDS3224D的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号Am41PDS3224D的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号Am41PDS3224D的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
初步的
这个 文档 包含 信息 在 一个 产品 下面 开发 在 先进的 微观的 设备. 这 信息
是 将 至 帮助 你 evaluate 这个 产品. amd reserves 这 正确的 至 改变 或者 停止 工作 在 这个 proposed
产品 没有 注意.
Publication#
26085
rev:
一个
amendment/
+1
公布 日期:
将 13, 2002
谈及 至 amd’s 网站 (www.amd.com) 为 这 最新的 信息.
Am41PDS3224D
stacked multi-碎片 包装 (mcp) flash 记忆 和 sram
am29pds322d 32 megabit (2 m x 16-位) cmos 1.8 volt-仅有的, 同时发生的 operation,
distinctive 特性
mcp 特性
电源 供应 电压 的 1.8 至 2.2 volt
高 效能
进入 时间 作 快 作 100 ns flash, 70 ns sram
包装
73-球 fbga
运行 温度
–40°c 至 +85°c
flash 记忆 特性
architectural 有利因素
同时发生的 读/写 行动
数据 能 是 continuously 读 从 一个 bank 当
executing 擦掉/程序 功能 在 其它 bank.
零 latency 在 读 和 写 行动
页 模式 运作
4 文字 页 准许 快 异步的 读
双 bank architecture
一个 4 mbit bank 和 一个 28 mbit bank
secsi (secured 硅) sector: extra 64 kbyte sector
工厂 锁 和 identifiable:
16 字节 电子的 串行
号码 有 为 工厂 secure, 随机的 id; verifiable
作 工厂 锁 通过 autoselect 函数. expressflash
选项 准许 全部 sector 至 是 有 为
工厂-secured 数据
客户 lockable:
能 是 读, 编写程序, 或者 erased
just 像 其它 sectors. once 锁, 数据 不能 是 changed
零 电源 运作
sophisticated 电源 管理 电路 减少 电源
consumed 在 inactive 时期 至 nearly 零.
顶 或者 bottom 激励 块
制造的 在 0.23 µm 处理 技术
兼容 和 电子元件工业联合会 standards
引脚 和 软件 兼容 和 单独的-电源-供应
flash 标准
效能 特性
高 效能
随机的 进入 时间 的 100 ns 在 1.8 v 至 2.2 v v
CC
过激 低 电源 消耗量 (典型 值)
2.5 毫安 起作用的 读 电流 在 1 mhz 为 最初的 页 读
24 毫安 起作用的 读 电流 在 10 mhz 为 最初的 页 读
0.5 毫安 起作用的 读 电流 在 10 mhz 为 intra-页 读
1 毫安 起作用的 读 电流 在 20 mhz 为 intra-页 读
200 na 在 备用物品 或者 自动 睡眠 模式
最小 1 million 写 循环 有保证的 每 sector
20 年 数据 保持 在 125
°
C
可依靠的 运作 为 这 生命 的 这 系统
软件 特性
数据 管理 软件 (dms)
amd-有提供的 软件 manages 数据 程序编制,
enabling 可擦可编程只读存储器 emulation
eases historical sector 擦掉 flash 限制
擦掉 suspend/擦掉 重新开始
data# polling 和 toggle 位
unlock 绕过 程序 command
减少 整体的 程序编制 时间 当 issuing 多样的
程序 command sequences
硬件 特性
任何 结合体 的 sectors 能 是 erased
准备好/busy# 输出 (ry/by#)
硬件 重置 管脚 (reset#)
wp#/acc 输入 管脚
写 保护 (wp#) 函数 准许 保护 的 二
outermost 激励 sectors, regardless 的 sector 保护 状态
acceleration (acc) 函数 accelerates 程序 定时
sector 保护
硬件 方法 的 locking 一个 sector, 也 在-系统 或者
使用 程序编制 设备, 至 阻止 任何 程序 或者
擦掉 运作 在里面 那 sector
temporary sector unprotect 准许 changing 数据 在
保护 sectors 在-系统
sram 特性
电源 消耗
运行: 2 毫安 典型
备用物品: 0.5 µa 典型
ce1s# 和 ce2s 碎片 选择
电源 向下 特性 使用 ce1s# 和 ce2s
数据 保持 供应 电压: 1.0 至 2.2 volt
字节 数据 控制: lb#s (dq7–dq0), ub#s (dq15–dq8)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com