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出版物 日期: july 2002 SJC00133AED
晶体管
■
电气 特性
t
一个
=
25
°
c
2sc3526(h)
硅 npn 外延 平面 类型
用于 显示 视频 输出
■
特点
•
高 过渡 频率 f
t
•
小 收集器 输出 电容 c
ob
•
宽 电流 范围
参数 符号 评级 单位
收集器 至 底座 电压 v
CBO
110 v
收集器 至 发射器 电压
*
v
cer
100 v
收集器 至 发射器 电压 v
CEO
50 v
发射器 至 底座 电压 v
EBO
3.5 v
峰值 收集器 电流 我
cp
300 ma
收集器 电流 我
c
150 ma
收集器 电源 耗散 p
c
1.0 w
接合点 温度 t
j
150
°
c
存储 温度 t
stg
−
55 至
+
150
°
c
参数 符号 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器 截止 电流 我
CEO
v
ce
=
35 v, 我
B
=
010
µ
一个
收集器 至 底座 电压 v
CBO
我
c
=
100
µ
一个, 我
e?
=
0 110 v
收集器 至 发射器 电压 v
cer
我
c
=
500
µ
一个, 右
是
=
470
Ω
100 v
收集器 至 发射器 电压 v
CEO
我
c
=
1 ma, 我
B
=
050V
发射器 至 底座 电压 v
EBO
我
e?
=
100
µ
一个, 我
c
=
0 3.5 v
前进 电流 转让 比率
*
h
铁
v
ce
=
5 v, 我
c
=
100 ma 20
收集器 至 发射器 饱和度 电压
*
v
ce(sat)
我
c
=
150 ma, 我
B
=
15 ma 0.5 v
过渡 频率 f
T1
v
cb
=
10 v, 我
e?
=
−
10 ma, f
=
200 mhz
300 MHz
f
T2
v
cb
=
10 v, 我
e?
=
−
110 ma, f
=
200 mhz
350
收集器 输出 电容 c
ob
v
cb
=
30 v, 我
e?
=
0, f
=
1 mhz 3 pf
单位: mm
■
绝对 最大值 额定值
t
一个
=
25
°
c
1: 发射器
2: 收集器
3: 底座
eiaj: sc-51
至-92l-a1 包装
5.9
±
0.2
0.7
±
0.1
4.9
±
0.2
8.6
±
0.2
0.7
+0.3
–0.2
13.5
±
0.5
2.54
±
0.15
(3.2)
(1.27)(1.27)
0.45
+0.2
–0.1
0.45
+0.2
–0.1
132
备注)
*
: 右
eb
=
470
Ω
备注)
*
: 脉冲 测量
: 点此下载
