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晶体管
2SA1806
硅 pnp 外延的 planer 类型
为 高 速 切换
■
特性
●
高-速 切换.
●
低 集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
.
●
ss-迷你 类型 包装, 准许 downsizing 的 这 设备
和 自动 嵌入 通过 这 录音带 包装 和 这 maga-
zine 包装.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:根基
2:发射级 eiaj:sc–75
3:集电级 ssmini3-g1 包装
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
–15
–15
–4
–100
–50
125
125
–55 ~ +125
单位
V
V
V
毫安
毫安
mW
˚C
˚C
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
集电级 输出 电容
转变-在 时间
转变-止 时间
存储 时间
标识
I
CBO
I
EBO
h
FE1
*
h
FE2
V
ce(sat)
f
T
C
ob
t
在
t
止
t
stg
情况
V
CB
= –8v, i
E
= 0
V
EB
= –3v, i
C
= 0
V
CE
= –1v, i
C
= –10ma
V
CE
= –1v, i
C
= –1ma
I
C
= –10ma, i
B
= – 1ma
V
CB
= –10v, i
E
= 10ma, f = 200mhz
V
CB
= –5v, i
E
= 0, f = 1mhz
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最小值
50
30
800
典型值
– 0.1
1500
1
12
20
19
最大值
– 0.1
– 0.1
150
– 0.2
单位
µ
一个
µ
一个
V
MHz
pF
ns
ns
ns
*
h
FE1
分级 分类
分级 Q R
h
FE1
50 ~ 120 90 ~ 150
标记 标识 AKQ AKR
1.6
±
0.15
1.6
±
0.1
5
˚
1
˚
1.0
±
0.1
0.75
±
0.15
0.45
±
0.1
0 至 0.1
(0.5)
(0.3)
(0.5)
0.8
±
0.1
(0.4)
0.15
+0.1
–
0.05
0.2
+0.1
–
0.05
1
2
3
0.2
±
0.1
标记 标识 :
AK
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