transistor
s
2SC2206
硅 npn 外延 计划
一个
右 类型
用于 高频 放大
互补 至 2sa1254
■
特点
●
最佳 用于 rf 放大 的 调频/上午 收音机.
●
高 过渡 频率 f
t
.
●
m 类型 包装 允许 容易 自动 和 手册 插入 作为
井 作为 单机 固定 至 这 已打印 电路 板.
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
单位: mm
参数
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
收集器 电流
收集器 电源 耗散
接合点 温度
存储 温度
1:底座
2:收集器
3:发射器 m-a1 包装
6.9
±0.1
2.5
±0.1
(1.0)
(1.0)
(1.5)
(0.85)
0.45
±0.05
0.55
±0.1
(2.5)(2.5)
213
右 0.7
右 0.9
(0.4)
3.5
±0.1
4.5
±0.1
4.1
±0.2
2.4
±0.2
1.25
±0.05
2.0
±0.2
1.0
±0.1
(1.5)
符号
v
CBO
v
CEO
c
EBO
我
c
p
c
t
j
t
stg
额定值
30
20
5
30
400
150
–55 ~ +150
单位
v
v
v
ma
mW
˚C
˚C
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
前进 电流 转让 比率
收集器 至 发射器 饱和度 电压
底座 至 发射器 电压
过渡 频率
噪声 图
普通 发射器 反向 转让 电容
反向 转让 阻抗
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
h
铁
*
v
ce(sat)
v
是
f
t
nf
c
re
z
rb
条件
我
c
= 10
µ
一个, 我
e?
= 0
我
c
= 1ma, 我
B
= 0
我
e?
= 10
µ
一个, 我
c
= 0
v
cb
= 10v, 我
e?
= –1ma
我
c
= 10ma, 我
B
= 1ma
v
ce
= 10v, 我
c
= 1ma
v
cb
= 10v, 我
e?
= –1ma, f = 200mhz
v
cb
= 10v, 我
e?
= –1ma, f = 5mhz
v
ce
= 10v, 我
c
= 1ma, f = 10.7mhz
v
cb
= 10v, 我
e?
= –1ma, f = 2mhz
最小
30
20
5
70
150
典型值
0.1
0.7
300
2.8
最大值
220
4
1.5
50
单位
v
v
v
v
v
MHz
db
pf
Ω
*
h
铁
等级 分类
等级 B c
h
铁
70 ~ 140 110 ~ 220
1SJC00
111
AED
出版物 日期: 8月 2002
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