晶体管
2SC5019
硅 npn 外延 计划
一个
右 类型
用于 uhf 乐队 低噪声 放大
■
特点
●
低 噪声 图 nf.
●
高 增益.
●
高 过渡 频率 f
t
.
●
迷你 电源 类型 包装, 允许 downsizing 的 这 设备
和 自动 插入 通过 这 胶带 填料 和 这 maga-
zine 填料.
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
单位: mm
参数
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
收集器 电流
收集器 电源 耗散
接合点 温度
存储 温度
1:底座
2:collecto右
3:发射器 minip3-f1 包装
4.5
±0.1
3.0
±0.15
45
°
2.6
±0.1
0.4 最大值
1.6
±0.2
1.5
±0.1
4.0
2.5
±0.1
3
°
+0.25
–0.20
1.0
+0.1
–0.2
0.5
±0.08
0.4
±0.04
0.4
±0.08
1
2
3
1.5
±0.1
3
°
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
c
p
c
*
t
j
t
stg
额定值
15
10
2
80
1
150
–55 ~ +150
单位
v
v
v
ma
w
˚C
˚C
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数
收集器 截止 电流
发射器 截止 电流
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
前进 电流 转让 比率
过渡 频率
收集器 输出 电容
foward 转让 增益
最大值 unilateral 电源 增益
噪声 图
符号
我
CBO
我
EBO
v
CBO
v
CEO
h
铁
f
t
c
ob
| s
21e
|
2
GUM
nf
条件
v
cb
= 10v, 我
e?
= 0
v
eb
= 2v, 我
c
= 0
我
c
= 10
µ
一个, 我
e?
= 0
我
c
= 100
µ
一个, 我
B
= 0
v
ce
= 8v, 我
c
= 20ma
v
ce
= 8v, 我
c
= 20ma, f = 800mhz
v
cb
= 10v, 我
e?
= 0, f = 1mhz
v
ce
= 8v, 我
c
= 20ma, f = 800mhz
v
ce
= 8v, 我
c
= 20ma, f = 800mhz
v
ce
= 8v, 我
c
= 20ma, f = 800mhz
最小
15
10
80
5
7.5
典型值
6
0.9
10
11.5
1.7
最大值
1
1
250
1.2
单位
µ
一个
µ
一个
v
v
GHz
pf
db
db
db
*
已打印 电路 板: 铜 箔 面积 的 1cm
2
或 更多, 和 这 板
厚度 的 1.7mm 用于 这 收集器 部分
标记 符号:
1W
出版物 日期: 8月 2002SJC00174BED
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