1
晶体管
2SC5363
硅 npn 外延的 计划
一个
r 类型
为 低-电压 高-频率 放大器
■
特性
●
高 转变 频率 f
T
.
●
小 集电级 输出 电容 c
ob
.
●
ss-迷你 类型 包装, 准许 downsizing 的 这 设备
和 自动 嵌入 通过 这 录音带 包装.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:根基
2:发射级 eiaj:sc–75
3:集电级 ssmini3-g1 包装
1.6
±
0.15
1.6
±
0.1
5
˚
1
˚
1.0
±
0.1
0.75
±
0.15
0.45
±
0.1
0 至 0.1
(0.5)
(0.3)
(0.5)
0.8
±
0.1
(0.4)
0.15
+0.1
–
0.05
0.2
+0.1
–
0.05
1
2
3
0.2
±
0.1
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
9
6
2
30
125
125
–55 ~ +125
单位
V
V
V
毫安
mW
˚C
˚C
■
电的 特性
(T一个=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
向前 电流 转移 比率
集电级 输出 电容
转变 频率
foward 转移 增益
噪音 图示
标识
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
ob
f
T
| s
21e
|
2
NF
情况
V
CB
= 5v, i
E
= 0
V
EB
= 1v, i
C
= 0
V
CE
= 3v, i
C
= 10ma
V
CB
= 3v, i
E
= 0, f = 1mhz
V
CE
= 3v, i
C
= 10ma, f = 1.5ghz
V
CE
= 0.3v, i
C
= 1ma, f = 0.9ghz
V
CE
= 0.3v, i
C
= 1ma, f = 0.9ghz
最小值
40
典型值
100
0.4
10
6.5
1.7
最大值
1
1
200
0.7
单位
µ
一个
µ
一个
pF
GHz
dB
dB
标记 标识 :
3Y
发行 日期: 将 2002 sjc00179bed
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