1
晶体管
2sc3929, 2sc3929a
硅 npn 外延 planer 类型
用于 低频 输出 放大
互补 至 2sa1531 和 2sa1531a
■
特点
●
低 噪声 电压 nv.
●
高 foward 电流 转让 比率 h
铁
.
●
s-迷你 类型 包装, 允许 downsizing 的 这 设备 和
自动 插入 通过 这 胶带 填料 和 这 杂志
填料.
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
参数
收集器 至
底座 电压
收集器 至
发射器 电压
发射器 至 底座 电压
峰值 收集器 电流
收集器 电流
收集器 电源 耗散
接合点 温度
存储 温度
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
cp
我
c
p
c
t
j
t
stg
额定值
35
55
35
55
5
100
50
150
150
–55 ~ +150
单位
v
v
v
ma
ma
mW
˚C
˚C
2SC3929
2SC3929A
2SC3929
2SC3929A
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数
收集器 截止 电流
收集器 至 底座
电压
收集器 至 发射器
电压
发射器 至 底座 电压
前进 电流 转让 比率
收集器 至 发射器 饱和度 电压
底座 至 发射器 电压
噪声 电压
过渡 频率
符号
我
CBO
我
CEO
v
CBO
v
CEO
v
EBO
h
铁
*
v
ce(sat)
v
是
nv
f
t
条件
v
cb
= 10v, 我
e?
= 0
v
ce
= 10v, 我
B
= 0
我
c
= 10
µ
一个, 我
e?
= 0
我
c
= 2ma, 我
B
= 0
我
e?
= 10
µ
一个, 我
c
= 0
v
ce
= 5v, 我
c
= 2ma
我
c
= 100ma, 我
B
= 10ma
v
ce
= 1v, 我
c
= 100ma
v
ce
= 10v, 我
c
= 1ma, g
v
= 80db
右
g
= 100k
Ω
, 功能 = 扁平
v
cb
= 5v, 我
e?
= –2ma, f = 200mhz
最小
35
55
35
55
5
180
典型值
0.7
80
最大值
100
1
700
0.6
1
150
单位
不适用
µ
一个
v
v
v
v
v
mv
MHz
*1
h
FE1
等级 分类
等级 右 s t
h
铁
180 ~ 360 260 ~ 520 360 ~ 700
2SC3929 高级 ss st
2SC3929A tr ts tt
标记 符号 :
s
(2sc3929)
t
(2sc3929a)
单位: mm
1:底座
2:发射器 eiaj:sc–70
3:收集器 s–mini 类型 包装
2.1
±
0.1
1.3
±
0.10.9
±
0.1
0.7
±
0.1
0.3
+0.1
–0
0.15
+0.1
–0.05
2.0
±
0.2
1.25
±
0.1 0.4250.425
1
3
2
0.650.2 0.65
0 至 0.1
0.2
±
0.1
标记
符号
2SC3929
2SC3929A
2SC3929
2SC3929A
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