1
晶体管
2SD0965
(2sd965)
硅 npn 外延 planer 类型
用于 低频 电源 放大
用于 stroboscope
■
特点
●
低 收集器 至 发射器 饱和度 电压 v
ce(sat)
.
●
满意 操作 演出 在 高 效率 与 这
低电压 电源 供应.
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
单位: mm
参数
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
峰值 收集器 电流
收集器 电流
收集器 电源 耗散
接合点 温度
存储 温度
1:发射器
2:收集器
3:底座
电子元件工业联合会:to–92
eiaj:sc–43a
5.0
±
0.2 4.0
±
0.2
5.1
±
0.213.5
±
0.5
0.45
+0.2
–0.1
0.45
+0.2
–0.1
1.27 1.27
2.3
±
0.2
2.54
±
0.15
213
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
cp
我
c
p
c
t
j
t
stg
额定值
40
20
7
8
5
0.75
150
–55 ~ +150
单位
v
v
v
一个
一个
w
˚C
˚C
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数
收集器 截止 电流
发射器 截止 电流
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
前进 电流 转让 比率
收集器 至 发射器 饱和度 电压
过渡 频率
收集器 输出 电容
符号
我
CBO
我
CEO
我
EBO
v
CEO
v
EBO
h
FE1
*1
h
FE2
v
ce(sat)
f
t
c
ob
条件
v
cb
= 10v, 我
e?
= 0
v
ce
= 10v, 我
B
= 0
v
eb
= 7v, 我
c
= 0
我
c
= 1ma, 我
B
= 0
我
e?
= 10
µ
一个, 我
c
= 0
v
ce
= 2v, 我
c
= 0.5a
*2
v
ce
= 2v, 我
c
= 2a
*2
我
c
= 3a, 我
B
= 0.1a
*2
v
cb
= 6v, 我
e?
= –50ma, f = 200mhz
v
cb
= 20v, 我
e?
= 0, f = 1mhz
最小
20
7
230
150
典型值
150
最大值
0.1
1.0
0.1
600
1
50
单位
µ
一个
µ
一个
µ
一个
v
v
v
MHz
pf
*1
h
FE1
等级 分类
等级 q 右
h
FE1
230 ~ 380 340 ~ 600
*2
脉冲 测量
备注.) 这 零件 号码 入点 这 括号 显示 常规 零件 号码.
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