1
晶体管
2SD0875
(2sd875)
硅 npn 外延 planer 类型
用于 低频 电源 放大
互补 至 2sb0767 (2sb767)
■
特点
●
大型 收集器 电源 耗散 p
c
.
●
高 收集器 至 发射器 电压 v
CEO
.
●
迷你 电源 类型 包装, 允许 downsizing 的 这 设备
和 自动 插入 通过 这 胶带 填料 和 这 maga-
zine 填料.
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
单位: mm
参数
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
峰值 收集器 电流
收集器 电流
收集器 电源 耗散
接合点 温度
存储 温度
1:底座
2:收集器 eiaj:sc–62
3:发射器 迷你 电源 类型 包装
4.5
±
0.1
2.6
±
0.1
2.5
±
0.1
0.4max.1.0
+0.1
–0.2
4.0
+0.25
–0.20
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
1.6
±
0.2
45
°
标记
321
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
cp
我
c
p
c
*
t
j
t
stg
额定值
80
80
5
1
0.5
1
150
–55 ~ +150
单位
v
v
v
一个
一个
w
˚C
˚C
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数
收集器 截止 电流
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
前进 电流 转让 比率
收集器 至 发射器 饱和度 电压
底座 至 发射器 饱和度 电压
过渡 频率
收集器 输出 电容
符号
我
CBO
v
CBO
v
CEO
v
EBO
h
FE1
*1
h
FE2
v
ce(sat)
v
是(sat)
f
t
c
ob
条件
v
cb
= 20v, 我
e?
= 0
我
c
= 10
µ
一个, 我
e?
= 0
我
c
= 100
µ
一个, 我
B
= 0
我
e?
= 10
µ
一个, 我
c
= 0
v
ce
= 10v, 我
c
= 150ma
*2
v
ce
= 5v, 我
c
= 500ma
*2
我
c
= 300ma, 我
B
= 30ma
*2
我
c
= 300ma, 我
B
= 30ma
*2
v
cb
= 10v, 我
e?
= –50ma
*2
, f = 200mhz
v
cb
= 10v, 我
e?
= 0, f = 1mhz
最小
80
80
5
130
50
典型值
100
0.2
0.85
120
11
最大值
0.1
330
0.4
1.2
单位
µ
一个
v
v
v
v
v
MHz
pf
标记 符号 :
x
*1
h
FE1
等级 分类
等级 右 s
h
FE1
130 ~ 220 185 ~ 330
标记 符号 XR xs
*
已打印 电路 板: 铜 箔 面积 的 1cm
2
或 更多, 和 这 板
厚度 的 1.7mm 用于 这 收集器 部分
*2
脉冲 测量
备注.) 这 零件 号码 入点 这 括号 显示 常规
零件 号码.
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