电源 晶体管
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2SC35072SC3507
2SC35072SC3507
2SC3507
硅 npn 三倍 diffusion 平面 类型
用于 高 击穿 电压 高速 开关
■
特点
•
高速 开关
•
高 收集器 至 底座 电压 v
CBO
•
满意 线性度 的 前进 电流 转让 比率 h
铁
•
已满-空调组件 包装 哪个 可以 是 已安装 至 这 热量 水槽 与 一个
螺钉
■
绝对 最大值 额定值
t
c
=
25
°
c
单位: mm
■
电气 特性
t
c
=
25
°
c
参数 符号 评级 单位
收集器 至 底座 电压 v
CBO
1 000 v
收集器 至 发射器 电压 v
消费电子展
1 000 v
v
CEO
800 v
发射器 至 底座 电压 v
EBO
7V
峰值 收集器 电流 我
cp
10 一个
收集器 电流 我
c
5A
底座 电流 我
B
3A
收集器 电源
t
c
= 25
°
cp
c
80 w
耗散
t
一个
= 25
°
C3
接合点 温度 t
j
150
°
c
存储 温度 t
stg
−
55 至
+
150
°
c
参数 符号 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器 截止 电流 我
CBO
v
cb
= 1 000 v, 我
e?
= 0 50
µ
一个
发射器 截止 电流 我
EBO
v
eb
= 7 v, 我
c
= 0 50
µ
一个
收集器 至 发射器 电压
*
v
ceo(sus)
我
c
= 0.5 一个, l = 50 mh 800 v
前进 电流 转让 比率 h
铁
v
ce
= 5 v, 我
c
= 3 一个 6
收集器 至 发射器 饱和度 电压
v
ce(sat)
我
c
= 3 一个, 我
B
= 0.6 一个 1.5 v
底座 至 发射器 饱和度 电压 v
是(sat)
我
c
= 3 一个, 我
B
= 0.6 一个 1.5 v
过渡 频率 f
t
v
ce
= 5 v, 我
c
= 0.5 一个, f = 1 mhz 6 MHz
打开 时间 t
开启
我
c
= 3 一个, 我
B1
= 0.6 一个, 我
B2
=
−
1.2 一个, 1
µ
s
存储 时间 t
stg
v
抄送
= 250 v 2.5
µ
s
坠落 时间 t
f
0.5
µ
s
15.0
±0.3
5.0
±0.2
11.0
±0.2
2.0
±0.2
2.0
±0.1
0.6
±0.2
1.1
±0.1
5.45
±0.3
10.9
±0.5
123
21.0
±0.5
16.2
±0.5
焊料 倾角
(3.5)
15.0
±0.2
(0.7)
φ
3.2
±0.1
(3.2)
x
l 50mh
15V
1
Ω
y
g
6V
120
Ω
50/60hz
mercury 继电器
备注)
*
: v
ceo(sus)
测试一下 电路
1 : 底座
2 : 收集器
3 : 发射器
eiaj : sc-96
顶部-3f-一个 包装
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