电源 晶体管
1
2SD20002SD2000
2SD20002SD2000
2SD2000
硅 npn 三倍 diffusion 平面 类型
用于 电源 开关
■
特点
•
高速 开关
•
满意 线性度 的 前进 电流 转让 比率 h
铁
•
大型 收集器 电源 耗散 p
c
•
已满-空调组件 包装 哪个 可以 是 已安装 至 这 热量 水槽 与 一个
螺钉
■
绝对 最大值 额定值
t
c
=
25
°
c
1: 底座
2: 收集器
3: 发射器
eiaj: sc-67
至-220f 包装
单位: mm
■
电气 特性
t
c
=
25
°
c
参数 符号 评级 单位
收集器 至 底座 电压 v
CBO
80 v
收集器 至 发射器 电压 v
CEO
60 v
发射器 至 底座 电压 v
EBO
6V
峰值 收集器 电流 我
cp
8A
收集器 电流 我
c
4A
底座 电流 我
B
1A
收集器 电源
t
c
= 25
°
cp
c
35 w
耗散
t
一个
= 25
°
C2
接合点 温度 t
j
150
°
c
存储 温度 t
stg
−
55 至
+
150
°
c
参数 符号 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器 截止 电流 我
CBO
v
cb
= 80 v, 我
e?
= 0 100
µ
一个
发射器 至 底座 电流 我
EBO
v
eb
= 6 v, 我
c
= 0 100
µ
一个
收集器 至 发射器 电压 v
CEO
我
c
= 25 ma, 我
B
= 0 60 v
前进 电流 转让 比率 h
FE1
*
v
ce
= 4 v, 我
c
= 1 一个 70 250
h
FE2
v
ce
= 4 v, 我
c
= 4 一个 20
底座 至 发射器 饱和度 电压 v
是(sat)
v
ce
= 4 v, 我
c
= 4 一个 2.0 v
收集器 至 发射器 饱和度 电压
v
ce(sat)
我
c
= 4 一个, 我
B
= 0.4 一个 1.5 v
过渡 频率 f
t
v
ce
= 12 v, 我
c
= 0.2 一个, f = 10 mhz 80 MHz
打开 时间 t
开启
我
c
= 4 一个, 我
B1
= 0.4 一个, 我
B2
=
−
0.4 一个, 0.3
µ
s
存储 时间 t
stg
v
抄送
= 50 v 1.0
µ
s
坠落 时间 t
f
0.2
µ
s
10.0
±0.2
5.5
±0.2
7.5
±0.2
16.7
±0.3
0.7
±0.1
14.0
±0.5
焊料 倾角
(4.0)
0.5
+0.2
–0.1
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.8
±0.1
2.54
±0.3
5.08
±0.5
213
2.7
±0.2
4.2
±0.2
4.2
±0.2
φ
3.1
±0.1
备注)
*
: 等级 分类
等级 q p
h
FE1
70 至 150 120 至 250
: 点此下载
