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电源 f-mos fets
单位: mm
2sk3024 (tentative)
硅 n-频道 电源 f-mos 场效应晶体管
■
特性
●
avalanche 活力 capacity 有保证的
●
高-速 切换
●
低 在-阻抗
●
非 secondary 损坏
●
低-电压 驱动
●
高 静电的 损坏 电压
■
产品
●
非接触式的 接转
●
diving 电路 为 一个 solenoid
●
驱动 电路 为 一个 发动机
●
控制 设备
●
切换 电源 供应
1: 门
2: 流
3: 源
u 类型 包装
■
电的 特性
(t
C
= 25°c)
参数
流 至 源 截-止 电流
门 至 源 泄漏 电流
流 至 源 损坏 电压
门 门槛 电压
流 至 源 在-阻抗
向前 转移 admittance
二极管 向前 电压
输入 电容 (一般 源)
输出 电容 (一般 源)
反转 转移 电容 (一般 源)
转变-在 时间 (延迟 时间)
上升 时间
下降 时间
转变-止 时间 (延迟 时间)
热的 阻抗 在 频道 和 情况
热的 阻抗 在 频道 和 atmosphere
标识
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
ds(在)1
R
ds(在)2
| y
fs
|
V
DSF
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(在)
t
r
t
f
t
d(止)
R
th(ch-c)
R
th(ch-一个)
情况
V
DS
= 50v, v
GS
= 0
V
GS
= ±20v, v
DS
= 0
I
D
= 1ma, v
GS
= 0
V
DS
= 10v, i
D
= 1ma
V
GS
= 10v, i
D
= 10a
V
GS
= 4v, i
D
= 10a
V
DS
= 10v, i
D
= 10a
I
DR
= 20a, v
GS
= 0
V
DS
= 10v, v
GS
= 0, f = 1mhz
V
DD
= 30v, i
D
= 10a
V
GS
= 10v, r
L
= 3
Ω
最小值
60
1
8
典型值
33
44
12
330
290
70
20
125
520
1480
最大值
10
±10
2.5
50
70
−
1.5
6.25
125
单位
µ
一个
µ
一个
V
V
m
Ω
m
Ω
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
°c/w
°c/w
■
绝对 最大 比率
(t
C
= 25°c)
参数
流 至 源 损坏 电压
门 至 源 电压
流 电流
avalanche 活力 capacity
容许的 电源
消耗
频道 温度
存储 温度
直流
脉冲波
T
C
= 25°c
ta = 25°c
标识
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
stg
比率
60
±20
±20
±40
20
20
1
150
−
55 至 +150
单位
V
V
一个
一个
mJ
W
°C
°C
*
l = 0.1mh, i
L
= 20a, 1 脉冲波
内部的 连接
6.5±0.1
5.3±0.1
4.35±0.1
4.6±0.1
2.3±0.1
0.75±0.1
123
0.93±0.1
2.5±0.1
0.8max
1.0±0.2
7.3±0.1
1.8±0.1
2.3±0.1
0.5±0.1
0.5±0.1
0.1±0.05
1.0±0.1
G
D
S