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晶体管
2SC2778
硅 npn 外延的 planer 类型
为 高-频率 放大器
■
特性
●
最佳的 为 rf 放大器, 振动, 混合, 和 如果 的 fm/
am 收音机.
●
迷你 类型 包装, 准许 downsizing 的 这 设备 和
自动 嵌入 通过 这 录音带 包装 和 这 magazine
包装.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:根基 电子元件工业联合会:to–236
2:发射级 eiaj:sc–59
3:集电级 迷你 类型 包装
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.25
–0.05
0.65
±
0.15 0.65
±
0.15
3
1
2
0.950.95
1.9
±
0.2
0.4
+0.1
–0.05
1.1
+0.2
–0.1
0.8
0.4
±
0.2
0 至 0.1
0.16
+0.1
–0.06
1.45
0.1 至 0.3
2.9
+0.2
–0.05
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
30
20
5
30
200
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
毫安
mW
˚C
˚C
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
转变 频率
一般 发射级 反转 转移 电容
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
*
f
T
C
re
情况
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
I
C
= 2ma, i
B
= 0
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
V
CE
= 10v, i
C
= 1ma
V
CB
= 10v, i
E
= –1ma, f = 200mhz
V
CE
= 10v, i
C
= 1ma, f = 10.7mhz
最小值
30
20
5
70
150
典型值
230
1.3
最大值
250
单位
V
V
V
MHz
pF
标记 标识 :
K
*
h
FE
分级 分类
分级 B C
h
FE
70 ~ 160 110 ~ 250
标记 标识 KB KC
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