HEXFET
®
电源 场效应晶体管
6/26/00
IRF7324
绝对 最大值 额定值
www.irf.com 1
热 电阻
参数 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
62.5 °c/w
参数 最大值 单位
v
ds
漏源 电压 -20 v
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -4.5v -9.0
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -4.5v -7.1 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
-71
p
d
@T
一个
= 25°c 最大值 电源 耗散
2.0 w
p
d
@T
一个
= 70°c 最大值 电源 耗散
1.3 w
线性 降额 因素 16 mw/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 12 v
t
j
, t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
v
DSS
= -20v
右
ds(开启)
= 0.018
Ω
新建 海沟 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际
整流器 利用 高级 加工 技术 至
实现 极其 低 导通电阻 按 硅 面积.
这个 效益, 合并 与 这 加固 设备 设计
那 hexfet 电源 mosfets 是 井 已知 用于,
提供 这 设计师 与 一个 极其 高效 和
可靠 设备 用于 使用 入点 蓄电池 和 荷载 管理
应用程序.
●
海沟 技术
●
超 低 导通电阻
●
双 p沟道 场效应晶体管
●
低 配置文件 (&指示灯;1.1mm)
●
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
●
2.5v 额定
描述
pd -93799a
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
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