HEXFET
®
电源 场效应晶体管
03/14/02
IRF7341Q
绝对 最大值 额定值
www.irf.com 1
热 电阻
参数 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
62.5
°
c/w
参数 最大值 单位
v
ds
漏源 电压 55 v
我
d
@ t
一个
= 25
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 5.1
我
d
@ t
一个
= 70
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 4.2 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
42
p
d
@T
一个
= 25
°
c 最大值 电源 耗散
2.4 w
p
d
@T
一个
= 70
°
c 最大值 电源 耗散
1.7 w
线性 降额 因素 16 mw/
°
c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
140 mJ
我
ar
雪崩 电流
5.1 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源 请参见 无花果. 14, 15, 16 mJ
t
j
, t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 175
°
c
具体而言 设计 用于 汽车 应用程序, 这些
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
’
s 入点 一个 双 所以-8 包装 利用
这 lastest 加工 技术 至 实现 极其 低
导通电阻 按 硅 面积. 附加 特点 的 这些
汽车 合格 hexfet 电源 场效应晶体管
’
s 是 一个 175
°
c
接合点 操作 温度, 快 开关 速度 和
改进 重复性 雪崩 评级. 这些 好处 com-
bine 至 制造 这个 设计 一个 极其 高效 和 可靠
设备 用于 使用 入点 汽车 应用程序 和 一个 宽 品种
的 其他 应用程序.
这 175
°
c 评级 用于 这 所以-8 包装 提供 改进
热 业绩 与 增加 安全 操作 面积 和
双 场效应晶体管 模具 能力 制造 它 理想 入点 一个 品种 的
电源 应用程序. 这个 双, 表面 安装 所以-8 可以
戏剧性地 减少 板 空间 和 是 也 可用 入点
胶带 &放大器; 卷轴.
•
高级 流程 技术
•
双 n通道 场效应晶体管
•
超 低 导通电阻
•
175
°
c 操作 温度
•
重复性 雪崩 允许 向上 至 tjmax
•
汽车 [q101] 合格
描述
pd - 94391a
所以-8
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 我
d
55V
0.050@v
gs
= 10v 5.1a
0.065@v
gs
= 4.5v 4.42a
D1
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D2
D2
G1
S2
G2
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