参数 最大值 单位
v
ds
排水管- 来源 电压 -20 v
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -4.5v -11.5
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -4.5v -9.2 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
-46
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散
2.5
p
d
@T
一个
= 70°c 电源 耗散
1.6
线性 降额 因素 20 mw/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ±8 v
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
07/11/01
www.irf.com 1
IRF7420
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
这些 p沟道 hexfet
®
电源 mosfets 从
国际 整流器 利用 高级 加工
技术 至 实现 这 极其 低 导通电阻
按 硅 面积. 这个 效益 提供 这 设计师
与 一个 极其 高效 设备 用于 使用 入点 蓄电池
和 荷载 管理 应用程序..
这 所以-8 有 被 已修改 通过 一个 定制
引线框架 用于 增强型 热 特性 和
多个-模具 能力 制作 它 理想 入点 一个 品种 的
电源 应用程序. 与 这些 改进, 多个
设备 可以 是 已使用 入点 一个 应用程序 与 戏剧性地
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 用于
蒸气 相位, 红外线, 或 波浪 焊接 技术.
描述
超 低 导通电阻
p沟道 场效应晶体管
表面 安装
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
pd - 94278
参数 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
50
°
c/w
热 电阻
绝对 最大值 额定值
w
顶部 查看
8
1
2
3
4
5
6
7
d
d
dg
s
一个
d
s
s
所以-8
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 我
d
-12v
14m
Ω
@V
gs
= -4.5v
-
11.5a
17.5m
Ω
@V
gs
= -2.5v
-
9.8a
26m
Ω
@V
gs
= -1.8v
-
8.1a
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